[發明專利]開關控制低失調電壓的帶隙基準電路

無效

• 申請號: 201410332625.8
• 申請日: 2014-07-14
• 公開（公告）號: CN104111684A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 張君志;賈相英
• 申請（專利權）人: 深圳市科創達微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248
• 代理人: 羅志偉

技術領域

本發明涉及帶隙基準電路，尤其涉及開關控制低失調電壓的帶隙基準電路。

背景技術

近年來隨著電子產業和集成電路領域的快速發展，系統要求集成電路的性能逐漸提高，對于電路中使用的帶隙基準電路，對其基準電壓精度的要求也越來越高，現有的帶隙基準電路的基準電壓精度較低，已經越來越難以滿足使用的要求。

如圖4所示，傳統的帶隙基準電路圖，包括運算放大器401、PNP管405和PNP管406，PNP管406的發射極接運算放大器401的VP端；PNP管405的發射極串聯電阻404接運算放大器401的VN端。電阻402和電阻403接運算放大器401的輸出端，信號408是帶隙基準電壓信號。

這種傳統的帶隙基準電路存在輸入失調電壓，這會降低所述基準電壓信號的精度。

發明內容

為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種基準電壓精度高的開關控制低失調電壓的帶隙基準電路。

本發明提供了一種開關控制低失調電壓的帶隙基準電路，包括開關信號模塊、運算放大器、雙極型晶體管模塊和低通濾波模塊，所述開關信號模塊的輸出端與所述運算放大器的輸入端連接，所述運算放大器的輸出端與所述雙極型晶體管模塊連接，所述雙極型晶體管模塊與所述低通濾波模塊連接；所述開關信號模塊包括第一開關信號輸出端和第二開關信號輸出端，所述第一開關信號輸出端與所述運算放大器的同相輸入端連接，所述第二開關信號輸出端與所述運算放大器的反相輸入端連接，所述雙極型晶體管模塊的一端與所述運算放大器的輸出端連接，所述雙極型晶體管模塊的另一端分別與所述運算放大器的同相輸入端、反相輸入端連接。

作為本發明的進一步改進，所述開關信號模塊為振蕩電路，所述振蕩電路分別生成第一開關信號和第二開關信號，所述第一開關信號經過第一開關信號輸出端輸出到所述運算放大器的同相輸入端，所述第二開關信號經過第二開關信號輸出端輸出到所述運算放大器的反相輸入端，所述第一開關信號和第二開關信號均為方波且相位相反，所述第一開關信號和第二開關信號使所述運算放大器的同相輸入端口、反相輸入端口相互對換。

作為本發明的進一步改進，所述雙極型晶體管模塊包括第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻和第三電阻，其中，所述第一電阻的一端分別與所述運算放大器的輸出端、低通濾波模塊的輸入端連接，所述第一電阻的另一端分別與所述第一雙極型晶體管的發射極、所述運算放大器的同相輸入端連接，所述第一雙極型晶體管的基極和集電極接地；所述第二電阻的一端分別與所述運算放大器的輸出端、低通濾波模塊的輸入端連接，所述第二電阻的另一端分別與所述運算放大器的反相輸入端、所述第三電阻的一端連接，所述第三電阻的另一端與所述第二雙極型晶體管的發射極連接，所述第二雙極型晶體管的基極和集電極接地。

作為本發明的進一步改進，所述第二雙極型晶體管、第一雙極型晶體管的發射極面積比為8:1。

作為本發明的進一步改進，所述第一電阻、第二電阻的阻值相同。

作為本發明的進一步改進，所述運算放大器為兩級運算放大器。

作為本發明的進一步改進，所述運算放大器包括PMOS管Q201、PMOS管Q202、NMOS管Q203、NMOS管Q204、NMOS管Q205，所述開關信號模塊包括開關S210、S211、S212、S213、S214、S215、S216，所述第一雙極型晶體管為PNP管Q206，所述第二雙極型晶體管為PNP管Q207，所述第一電阻為電阻R220，所述第二電阻為電阻R218，所述第三電阻為電阻R219，其中，所述PNP管Q207的發射極分別連接開關S210、S212的一端，所述開關S210的另一端連接PMOS管Q201的柵極，所述開關S212的另一端連接PMOS管Q202的柵極，所述PNP管Q206的發射極連接電阻R219的一端，所述電阻219的另一端分別連接開關S211、S213的一端，所述開關S211的另一端連接PMOS管Q201的柵極，開關S213的另一端連接PMOS管Q202的柵極。