[發明專利]開關控制低失調電壓的帶隙基準電路

無效

• 申請號: 201410332625.8
• 申請日: 2014-07-14
• 公開（公告）號: CN104111684A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 張君志;賈相英
• 申請（專利權）人: 深圳市科創達微電子有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙) 44248
• 代理人: 羅志偉

1.一種開關控制低失調電壓的帶隙基準電路，其特征在于：包括開關信號模塊、運算放大器、雙極型晶體管模塊和低通濾波模塊，所述開關信號模塊的輸出端與所述運算放大器的輸入端連接，所述運算放大器的輸出端與所述雙極型晶體管模塊連接，所述雙極型晶體管模塊與所述低通濾波模塊連接；所述開關信號模塊包括第一開關信號輸出端和第二開關信號輸出端，所述第一開關信號輸出端與所述運算放大器的同相輸入端連接，所述第二開關信號輸出端與所述運算放大器的反相輸入端連接，所述雙極型晶體管模塊的一端與所述運算放大器的輸出端連接，所述雙極型晶體管模塊的另一端分別與所述運算放大器的同相輸入端、反相輸入端連接。

2.根據權利要求1所述的開關控制低失調電壓的帶隙基準電路，其特征在于：所述開關信號模塊為振蕩電路，所述振蕩電路分別生成第一開關信號和第二開關信號，所述第一開關信號經過第一開關信號輸出端輸出到所述運算放大器的同相輸入端，所述第二開關信號經過第二開關信號輸出端輸出到所述運算放大器的反相輸入端，所述第一開關信號和第二開關信號均為方波且相位相反，所述第一開關信號和第二開關信號使所述運算放大器的同相輸入端口、反相輸入端口相互對換。

3.根據權利要求1所述的開關控制低失調電壓的帶隙基準電路，其特征在于：所述雙極型晶體管模塊包括第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻和第三電阻，其中，所述第一電阻的一端分別與所述運算放大器的輸出端、低通濾波模塊的輸入端連接，所述第一電阻的另一端分別與所述第一雙極型晶體管的發射極、所述運算放大器的同相輸入端連接，所述第一雙極型晶體管的基極和集電極接地；所述第二電阻的一端分別與所述運算放大器的輸出端、低通濾波模塊的輸入端連接，所述第二電阻的另一端分別與所述運算放大器的反相輸入端、所述第三電阻的一端連接，所述第三電阻的另一端與所述第二雙極型晶體管的發射極連接，所述第二雙極型晶體管的基極和集電極接地。

4.根據權利要求3所述的開關控制低失調電壓的帶隙基準電路，其特征在于：所述第二雙極型晶體管、第一雙極型晶體管的發射極面積比為8:1。

5.根據權利要求3所述的開關控制低失調電壓的帶隙基準電路，其特征在于：所述第一電阻、第二電阻的阻值相同。

6.根據權利要求3所述的開關控制低失調電壓的帶隙基準電路，其特征在于：所述運算放大器為兩級運算放大器。

7.根據權利要求6所述的開關控制低失調電壓的帶隙基準電路，其特征在于：所述運算放大器包括PMOS管Q201、PMOS管Q202、NMOS管Q203、NMOS管Q204、NMOS管Q205，所述開關信號模塊包括開關S210、S211、S212、S213、S214、S215、S216，所述第一雙極型晶體管為PNP管Q206，所述第二雙極型晶體管為PNP管Q207，所述第一電阻為電阻R220，所述第二電阻為電阻R218，所述第三電阻為電阻R219，其中，所述PNP管Q207的發射極分別連接開關S210、S212的一端，所述開關S210的另一端連接PMOS管Q201的柵極，所述開關S212的另一端連接PMOS管Q202的柵極，所述PNP管Q206的發射極連接電阻R219的一端，所述電阻219的另一端分別連接開關S211、S213的一端，所述開關S211的另一端連接PMOS管Q201的柵極，開關S213的另一端連接PMOS管Q202的柵極。

8.根據權利要求7所述的開關控制低失調電壓的帶隙基準電路，其特征在于：所述開關S214的一端分別連接NMOS管Q203的柵極、NMOS管Q204的柵極，所述開關S214的另一端連接NMOS管Q203的漏極，所述開關S215的一端分別連接NMOS管Q203的柵極、NMOS管Q204的柵極，所述開關S215的另一端連接NMOS管Q204的漏極，所述開關S216、S217的一端連接NMOS管Q205的柵極，所述開關S216的另一端連接NMOS管Q203的漏極，所述開關S217的另一端連接NMOS管Q204的漏極，所述NMOS管Q203、NMOS管Q204、NMOS管Q205的源極接地。