[發(fā)明專利]固態(tài)成像設(shè)備及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410331473.X
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104299945A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 前原正孝
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L23/02
• 分類號: H01L23/02;H01L21/56
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種固態(tài)成像設(shè)備，包括：

光學(xué)薄膜層，固態(tài)圖像傳感器安裝在所述光學(xué)薄膜層上；

多功能芯片，層壓在所述光學(xué)薄膜層中的所述固態(tài)圖像傳感器的外圍，所述多功能芯片經(jīng)由金屬體與所述光學(xué)薄膜層電接觸；

密封樹脂層，用于密封在所述光學(xué)薄膜層上層壓有所述多功能芯片的外圍；以及

凹形結(jié)構(gòu)體，在所述密封樹脂層的外圍，用于阻止形成所述密封樹脂層時的液態(tài)的密封樹脂的流動。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像設(shè)備，其中

用于阻止流動的所述凹形結(jié)構(gòu)體是通過鏟取包圍所述多功能芯片的表面所構(gòu)造的斗部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像設(shè)備，其中

以多重包圍所述多功能芯片的方式來構(gòu)造用于阻止流動的所述凹形結(jié)構(gòu)體。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像設(shè)備，其中

用于阻止流動的所述凹形結(jié)構(gòu)體是通過在晶圓生產(chǎn)步驟中進行干法蝕刻僅僅鏟取所述光學(xué)薄膜層而形成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固態(tài)成像設(shè)備，其中

圍繞所述光學(xué)薄膜層的外圍以大約60度到90度的傾斜角鏟取用于阻止流動的凹形結(jié)構(gòu)體的內(nèi)壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像設(shè)備，其中

所述光學(xué)薄膜層的布線上以及在布線之間，通過所述光學(xué)薄膜層的所述斗部形成的形狀不同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像設(shè)備，其中

所述光學(xué)薄膜層的所述斗部具有包圍經(jīng)層壓的所述多功能芯片的圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像設(shè)備，其中，用于阻止流動的所述凹形結(jié)構(gòu)體形成為寬度為3μm并且深度為1μm的斗部。

9.一種制造固態(tài)成像設(shè)備的方法，所述固態(tài)成像設(shè)備包括：光學(xué)薄膜層，固態(tài)圖像傳感器安裝在所述光學(xué)薄膜層上；多功能芯片，層壓在所述光學(xué)薄膜層中的所述固態(tài)圖像傳感器的外圍，所述多功能芯片經(jīng)由金屬體與所述光學(xué)薄膜層電接觸；密封樹脂層，用于密封在所述光學(xué)薄膜層上層壓有所述多功能芯片的外圍；以及凹形結(jié)構(gòu)體，在所述密封樹脂層的外圍用于阻止形成所述密封樹脂層時的液態(tài)的密封樹脂的流動，所述方法包括：

形成所述光學(xué)薄膜層；

形成用于阻止流動的所述凹形結(jié)構(gòu)體，以包圍所層壓的所述多功能芯片的外圍；

在所述光學(xué)薄膜層上層壓所述多功能芯片；以及

涂覆并且固化所述密封樹脂，以形成由所述多功能芯片包圍的所述密封樹脂層。