[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410331005.2
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104282655B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 徐在禹;丁健鈺;金珉修;韓相信;姜主賢;趙郁來
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52;H01L21/60
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

本發明提供了一種半導體器件以及一種制造半導體器件的方法。該半導體器件包括：第一源電極，其配置為將第一功率軌連接至第一雜質區，所述第一功率軌結合至第一電壓源；第二源電極，其配置為將第二功率軌連接至第二雜質區，所述第二功率軌結合至第二電壓源，第一電壓源和第二電壓源不同；柵電極，其位于第一雜質區和第二雜質區上；第一漏電極，其位于第一雜質區上；第二漏電極，其位于第二雜質區上；以及互連線，其連接至第一漏電極和第二漏電極，所述互連線形成至少一個閉環。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2013年7月12日提交于美國專利商標局(USPTO)的美國臨時申請No.61/845,555，以及于2013年10月22日提交于韓國知識產權局的韓國專利申請No.10-2013-0126065的優先權，以上每個申請的公開以引用方式全文并入本文中。

技術領域

本發明的示例實施例涉及一種半導體器件和/或其制造方法。

背景技術

電遷移(EM)是電極的原子通過載流子沿著例如導線運動的現象。電極的原子的運動會在導線中形成空穴，從而使導線的電導率惡化。

因此，正積極地進行研究以減小電遷移。

發明內容

示例實施例的多個方面提供了一種減少了電遷移的半導體器件。

示例實施例的多個方面還提供了一種制造減少了電遷移的半導體器件的方法。

然而，示例實施例的多個方面不限于本文闡述的方面。通過參照下面提供的示例實施例的具體實施方式，示例實施例的以上和其它方面將對于示例實施例所屬領域的普通技術人員變得更清楚。

根據至少一個示例實施例，提供了一種半導體器件，其包括：第一源電極，其配置為將第一功率軌連接至第一雜質區，第一功率軌結合至第一電壓源；第二源電極，其配置為將第二功率軌連接至第二雜質區，第二功率軌結合至第二電壓源，第一電壓源和第二電壓源不同；柵電極，其位于第一雜質區和第二雜質區上；第一漏電極，其位于第一雜質區上；第二漏電極，其位于第二雜質區上；以及互連線，其連接至第一漏電極和第二漏電極，互連線形成至少一個閉環。

根據另一示例實施例，提供了一種半導體器件，其包括：第一晶體管；第二晶體管，其與第一晶體管不同；以及互連線，其連接至第一晶體管和第二晶體管各自的輸出端以及電路元件，互連線形成至少一個閉環。

根據另一示例實施例，提供了一種半導體器件，其包括：逆變器，其配置為轉變輸入信號的電壓電平，并輸出具有轉變后的電壓電平的輸入信號；電路元件，其配置為接收逆變器的輸出；以及互連線，其配置為將逆變器的輸出提供至電路元件，互連線形成至少一個閉環。

根據另一示例實施例，提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：利用標準單元制造半導體器件，其中，標準單元包括PMOS晶體管、NMOS晶體管和互連線，互連線連接至PMOS晶體管和NMOS晶體管各自的輸出端以及電路元件，互連線形成至少一個閉環。

至少一個示例實施例公開了一種半導體器件，其包括輸入線、電路元件和至少具有閉環部分的互連線，互連線結合至多個晶體管，互連線和多個晶體管配置為將輸入線選擇性地連接至電路元件。

至少另一示例實施例公開了一種半導體器件，其包括輸入線、電路元件和結合至多個晶體管的互連線，多個晶體管配置為沿著互連線在第一方向上施加第一電流并沿著互連線在第二方向上施加第二電流，互連線和多個晶體管配置為將輸入線選擇性地連接至電路元件。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例實施例，示例實施例的以上和其它方面和特征將變得更加清楚，其中：

圖1是根據示例實施例的半導體器件的布局圖；