[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410331005.2
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104282655B
• 公開（公告）日: 2018-05-29
• 發明（設計）人: 徐在禹;丁健鈺;金珉修;韓相信;姜主賢;趙郁來
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/52
• 分類號: H01L23/52;H01L21/60
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

1.一種半導體器件，其包括：

第一源電極，其配置為將第一功率軌連接至第一雜質區，所述第一功率軌結合至第一電壓源；

第二源電極，其配置為將第二功率軌連接至第二雜質區，所述第二功率軌結合至第二電壓源，所述第一電壓源和所述第二電壓源不同；

柵電極，其位于所述第一雜質區和所述第二雜質區上；

第一漏電極，其位于所述第一雜質區上；

第二漏電極，其位于所述第二雜質區上；以及

互連線，其連接至所述第一漏電極和所述第二漏電極，

其特征在于，所述互連線形成至少一個閉環。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述互連線高于所述第一源電極、所述第二源電極、所述柵電極、所述第一漏電極和所述第二漏電極。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述柵電極沿著第一方向延伸，并且

所述互連線包括：

第一互連線部分，其為U形，以及

第二互連線部分，其沿著第一方向延伸，所述第二互連線部分高于所述第一互連線部分。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述第一互連線部分還包括：

第三互連線部分，其朝著所述第一漏電極和所述第二漏電極的一側延伸，以及

第四互連線部分，其朝著所述第一漏電極和所述第二漏電極的另一側延伸，所述第四互連線部分高于所述第三互連線部分。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一雜質區包括N型雜質區，并且所述第二雜質區包括P型雜質區。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一電壓源配置為提供電源電壓，并且所述第二電壓源配置為提供地電壓。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其還包括：

有源鰭部，其從襯底突出，其中所述第一雜質區和所述第二雜質區位于所述有源鰭部中。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其還包括：

柵極絕緣層，其位于所述柵電極與所述有源鰭部之間；以及

間隔件，其位于所述有源鰭部上和所述柵電極的一側上，

其中，所述柵極絕緣層沿著所述間隔件的側壁延伸。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其還包括：

橋接線，并且

所述互連線包括：

第一互連線部分，其形成第一閉環，以及

第二互連線部分，其與所述第一互連線部分分離并且形成第二閉環，所述橋接線連接至所述第一互連線部分和所述第二互連線部分。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述橋接線高于所述第一互連線部分和所述第二互連線部分。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其還包括：

另一互連線，其連接至所述第一漏電極和所述第二漏電極，所述另一互連線為U形；以及

橋接線，其連接至形成至少一個閉環的所述互連線以及U形的所述另一互連線。

12.一種半導體器件，其包括：

第一晶體管；

第二晶體管，其與所述第一晶體管不同；以及

互連線，其連接至所述第一晶體管和所述第二晶體管各自的輸出端以及電路元件，

其特征在于，所述互連線形成至少一個閉環。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，第一晶體管包括p型金屬氧化物半導體晶體管，并且第二晶體管包括n型金屬氧化物半導體晶體管。

14.根據權利要求12所述的半導體器件，其中，所述第一晶體管的源電極配置為接收第一電壓，并且所述第二晶體管的源電極配置為接收與第一電壓不同的第二電壓。