[發明專利]磁性存儲軌道和磁性存儲器

有效

• 申請號: 201410330469.1
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN105244043B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 林殷茵;楊凱;張樹杰;趙俊峰;楊偉;傅雅蓉
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司;復旦大學
• 主分類號: G11B5/02
• 分類號: G11B5/02;G11B5/62;H01L43/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

本發明提供一種磁性存儲軌道和磁性存儲器，包括多個堆疊的存儲軌道單元，相鄰兩個存儲軌道單元之間設置有過渡層，且該過渡層由在絕緣材料上淀積的半導體材料構成，包括選通電路和讀寫裝置。由于磁性存儲軌道包括多個堆疊的存儲軌道單元，從而磁性存儲軌道的軌道長度由多個存儲軌道單元的軌道長度構成，因此，當增大磁性存儲軌道的軌道長度時，可通過增加存儲軌道單元實現，避免增加存儲軌道單元的軌道長度，從而解決了在提高磁性存儲軌道存儲能力時，由于磁性存儲軌道的軌道長度增長導致工藝難度增大的技術問題。

技術領域

本發明實施例涉及半導體技術，尤其涉及一種磁性存儲軌道和磁性存儲器。

背景技術

磁性存儲器是一種利用磁性存儲軌道中磁疇的磁化方向進行信息存儲的存儲器件。其中，磁疇是指構成磁性存儲軌道的磁性材料在自發磁化的過程中為降低靜磁能而產生分化的方向各異的小型磁化區域，這些小型磁化區域內部包含大量原子，這些原子的原子磁矩都像許多個小磁鐵般整齊排列，原子磁矩排列的方向與其內部電子的自旋方向相關聯，原子磁矩是其內部所有電子集合的軌道磁矩、自旋磁矩和核磁矩的矢量和。由于相鄰的磁疇之間原子磁矩排列的方向不同，因此，各磁疇之間的交界會形成磁疇壁。磁性存儲器具體是通過施加到磁性存儲軌道上的電流或磁場推移磁疇壁所在的位置，以此將原子磁矩排列的方向推移到待寫入的磁疇中，從而利用磁疇互成一定角度的兩個磁化方向分別代表0和1，實現信息存儲。

由于磁性存儲器的存儲能力與磁性存儲軌道的軌道長度直接相關，軌道長度越長，存儲能力就越強。但是，在磁性存儲軌道制備過程中，軌道長度越長，磁性存儲軌道的制造工藝難度越大。

發明內容

本發明實施例提供一種磁性存儲軌道和磁性存儲器，用于解決在提高磁性存儲軌道存儲能力時，由于磁性存儲軌道的軌道長度增長導致制造工藝難度增大的技術問題。

本發明實施例的第一個方面是提供一種磁性存儲軌道，包括多個堆疊的存儲軌道單元，相鄰兩個存儲軌道單元之間設置有過渡層，其中，所述存儲軌道單元包括由磁性材料構成的用于存儲數據的數據區域，每個過渡層由在絕緣材料上淀積的半導體材料構成，每個過渡層中包括：選通電路，所述選通電路的一端與層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元連接，所述選通電路的另一端連接驅動電源，用于向層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元傳輸驅動信號，所述驅動信號用于驅動所述存儲軌道單元中的磁疇移動；讀寫裝置，與層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元連接，用于在所述選通電路傳輸的驅動脈沖的作用下，對層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元中的磁疇進行讀操作或寫操作。

本發明實施例的第二個方面是提供一種磁性存儲器，所述磁性存儲器包括至少兩個如上所述的磁性存儲軌道。

本發明實施例提供的磁性存儲軌道和磁性存儲器，包括多個堆疊的存儲軌道單元，相鄰兩個存儲軌道單元之間設置有過渡層，且每個過渡層由在絕緣材料上淀積的半導體材料構成，每個過渡層中包括選通電路和讀寫裝置，其中，選通電路用于向層疊于該過渡層之上的存儲軌道單元傳輸驅動信號，讀寫裝置用于在選通電路傳輸的驅動脈沖的作用下，對層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元中的磁疇進行讀操作或寫操作。本發明實施例提供的磁性存儲軌道由于包括多個堆疊的存儲軌道單元，磁性存儲軌道的軌道長度由多個存儲軌道單元的軌道長度構成，因此，當增大磁性存儲軌道的軌道長度時，可通過增加存儲軌道單元實現，避免增加存儲軌道單元的軌道長度，從而解決了在提高磁性存儲軌道存儲能力時，由于磁性存儲軌道的軌道長度增長導致制造工藝難度增大的技術問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術中的一種磁性存儲軌道的結構示意圖；