[發明專利]磁性存儲軌道和磁性存儲器

有效

• 申請號: 201410330469.1
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN105244043B
• 公開（公告）日: 2018-09-21
• 發明（設計）人: 林殷茵;楊凱;張樹杰;趙俊峰;楊偉;傅雅蓉
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司;復旦大學
• 主分類號: G11B5/02
• 分類號: G11B5/02;G11B5/62;H01L43/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種磁性存儲軌道，其特征在于，包括多個堆疊的存儲軌道單元，相鄰兩個存儲軌道單元之間設置有過渡層，其中，所述存儲軌道單元包括由磁性材料構成的用于存儲數據的數據區域，每個過渡層由在絕緣材料上淀積的半導體材料構成，每個過渡層中包括：

選通電路，所述選通電路的一端與層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元連接，所述選通電路的另一端連接驅動電源，用于向層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元傳輸驅動信號，所述驅動信號用于驅動所述存儲軌道單元中的磁疇移動；

讀寫裝置，與層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元連接，用于在所述選通電路傳輸的驅動脈沖的作用下，對層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元中的磁疇進行讀操作或寫操作。

2.根據權利要求1所述的磁性存儲軌道，其特征在于，所述選通電路包括金屬氧化物半導體MOS管，其中：

所述MOS管的第一端用于輸入控制信號，所述控制信號用于控制所述MOS管處于導通狀態或斷開狀態；

所述MOS管的第二端連接層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元；

所述MOS管的第三端連接驅動電源，用于在所述MOS管處于導通狀態時，向層疊于所述過渡層之上的存儲軌道單元傳輸所述驅動信號。

3.根據權利要求2所述的磁性存儲軌道，其特征在于，所述磁性存儲軌道包括至少兩個過渡層，所述至少兩個過渡層中位于同一列的MOS管的第三端共同連接所述驅動電源。

4.根據權利要求2所述的磁性存儲軌道，其特征在于：所述存儲軌道單元包括U型存儲軌道，所述選通電路以及所述讀寫裝置設置于所述U型存儲軌道的底部。

5.根據權利要求4所述的磁性存儲軌道，其特征在于：所述選通電路包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分別設置于所述讀寫裝置的兩側,其中，所述第一MOS管用于向所述U型存儲軌道的第一側軌道傳輸驅動信號，所述第二MOS管用于向所述U型存儲軌道的第二側軌道傳輸驅動信號。

6.根據權利要求2所述的磁性存儲軌道，其特征在于：所述MOS管包括薄膜場效應晶體管TFT。

7.根據權利要求1-6任一項所述的磁性存儲軌道，其特征在于：所述在絕緣材料上淀積的半導體材料包括多晶硅或多晶硅化合物。

8.一種磁性存儲器，其特征在于，所述磁性存儲器包括至少兩個如權利要求1-7任意一項所述的磁性存儲軌道。

9.根據權利要求8所述的磁性存儲器，其特征在于，所述磁性存儲軌道包括U型磁性存儲軌道，其中同一行的U型磁性存儲軌道的第一側軌道共用同一個控制信號，同一行的U型磁性存儲軌道的第二側軌道共用同一個控制信號，同一列的U型磁性存儲軌道的第一側軌道連接同一個驅動電源，同一列的U型磁性存儲軌道的第二側軌道連接同一個驅動電源。