[發(fā)明專利]基極調(diào)制的電流源

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410329321.6
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104281187A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: N.賈法里
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 李琳

相關(guān)申請的交叉引用

本應(yīng)用要求于2013年7月11日提交的標題為“基極調(diào)制的電流源”(BULK-MODULATED?CURRENT?SOURCE)的美國臨時申請第61/845,176號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其整體內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于提供基極調(diào)制的(bulk-modulated)電流源的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)

電流源在電子電路中操作以便提供或接收電流。理想電流源提供恒定電流而不管被施加在理想電流源兩端的電壓。因此，理想電流源具有無限的輸出阻抗。然而，在實際應(yīng)用中，所有的電流源都具有有限的阻抗。因此，由于真實世界組件的有限的輸出阻抗，電流源輸出的電流固有地根據(jù)電流源兩端的(across)電壓的變化而變化。然而，在許多不同的領(lǐng)域中，期望實施一種具有相對較高的輸出阻抗并且同時還具有相對較小的物理面積(physical?area)的電流源。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例的各個方面提供用于提供具有相對較高的輸出阻抗和相對較小的物理面積或占用面積(footprint)的系統(tǒng)和方法。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種基極調(diào)制的電流源包括：輸出端子，被配置為供應(yīng)輸出電流；第一晶體管，包括：耦合至所述輸出端子的第一電極，第二電極，基極電極，和被配置為接收偏壓的柵極電極；以及放大器，包括：電耦合至第一晶體管的第一電極的輸入端子，和電耦合至第一晶體管的基極電極的輸出端子。

所述放大器可以具有負增益。

所述放大器的負增益可以在-0.5到-2的范圍內(nèi)。

所述放大器還包括：第二晶體管，包括：電耦合至第一晶體管的第一電極的柵極電極，和電耦合至所述放大器的輸出端子的漏極電極；以及第三晶體管，包括：電耦合至電源的源極電極，柵極電極，和漏極電極，其中，第三晶體管的漏極電極電耦合至第三晶體管的柵極電極和第二晶體管的漏極電極。

第一晶體管可以是NMOS晶體管，并且第二電極可以耦合至低壓電源或者地。

第一晶體管可以是PMOS晶體管，并且第二電極可以耦合至高壓電源。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，一種基極調(diào)制的電流源包括：第一晶體管，包括：第一電極，和基極電極；以及放大器，包括：電耦合至第一晶體管的第一電極的輸入端子，和電耦合至第一晶體管的基極電極的輸出端子。

基極調(diào)制的電流源還可以包括輸出端子，其被配置為供應(yīng)輸出電流并且耦合至第一電極。

第一晶體管還可以包括被配置為接收偏壓的柵極電極。

所述放大器可以具有負增益。

所述放大器的負增益可以在-0.5到-2的范圍內(nèi)。

所述放大器還可以包括：第二晶體管，包括：電耦合至第一晶體管的第一電極的柵極電極，和電耦合至所述放大器的輸出端子的漏極電極；以及第三晶體管，包括：電耦合至電源的源極電極，柵極電極，和漏極電極，其中，第三晶體管的漏極電極電耦合至第三晶體管的柵極電極和第二晶體管的漏極電極。

第一晶體管可以是NMOS晶體管，并且第一晶體管的第二電極可以耦合至低壓電源或者地。

根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在一種使用基極調(diào)制的電流源生成輸出電流的方法中，該方法包括：通過將偏壓施加在所述基極調(diào)制的電流源的第一晶體管的柵極電極來生成所述基極調(diào)制的電流源的輸出端子處的輸出電流，其中，第一晶體管的第一電極電耦合至所述基極調(diào)制的電流源的輸出端子；將對應(yīng)于所述輸出電流的第一輸出電壓供應(yīng)給放大器的輸入端子；以及利用由所述放大器生成的第二輸出電壓來驅(qū)動第一晶體管的基極電極。

所述放大器可以具有負增益。

所述放大器的負增益可以在-0.5到-2的范圍內(nèi)。

所述放大器還可以包括：第二晶體管，包括：電耦合至第一晶體管的第一電極的柵極電極，和電耦合至所述放大器的輸出端子的漏極電極；以及第三晶體管，包括：電耦合至電源的源極電極，柵極電極，和漏極電極，其中，第三晶體管的漏極電極電耦合至第三晶體管的柵極電極和第二晶體管的漏極電極。

第一晶體管可以是NMOS晶體管，并且第一晶體管的第二電極可以耦合至低壓電源或者地。

第一晶體管可以是PMOS晶體管，并且第一晶體管的第二電極可以耦合至高壓電源。

附圖說明

隨著通過結(jié)合附圖參考下面的詳細描述而更好地理解本發(fā)明，本發(fā)明的更完整的評價、以及本發(fā)明的許多附帶特征和方面將變得更加清楚，在附圖中，相似的參考符號指示相似的組件。