[發明專利]基極調制的電流源

無效

• 申請號: 201410329321.6
• 申請日: 2014-07-11
• 公開（公告）號: CN104281187A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: N.賈法里
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李琳

1.一種基極調制的電流源，包括：

輸出端子，被配置為供應輸出電流；

第一晶體管，包括：

第一電極，耦合至所述輸出端子，

第二電極，

基極電極，和

柵極電極，被配置為接收偏壓；以及

放大器，包括：

輸入端子，電耦合至第一晶體管的第一電極，和

輸出端子，電耦合至第一晶體管的基極電極。

2.如權利要求1所述的基極調制的電流源，其中，所述放大器具有負增益。

3.如權利要求2所述的基極調制的電流源，其中，所述放大器的負增益在-0.5到-2的范圍內。

4.如權利要求1所述的基極調制的電流源，其中，所述放大器還包括：

第二晶體管，包括：

柵極電極，電耦合至第一晶體管的第一電極，和

漏極電極，電耦合至所述放大器的輸出端子；以及

第三晶體管，包括：

源極電極，電耦合至電源，

柵極電極，和

漏極電極，其中，第三晶體管的漏極電極電耦合至第三晶體管的柵極電極和第二晶體管的漏極電極。

5.如權利要求1所述的基極調制的電流源，其中，第一晶體管是NMOS晶體管，并且第二電極耦合至低壓電源或者地。

6.如權利要求1所述的基極調制的電流源，其中，第一晶體管是PMOS晶體管，并且第二電極耦合至高壓電源。

7.一種基極調制的電流源，包括：

第一晶體管，包括：

第一電極，和

基極電極；以及

放大器，包括：

輸入端子，電耦合至第一晶體管的第一電極，和

輸出端子，電耦合至第一晶體管的基極電極。

8.如權利要求7所述的基極調制的電流源，還包括輸出端子，其被配置為供應輸出電流并且耦合至第一電極。

9.如權利要求7所述的基極調制的電流源，其中，第一晶體管還包括被配置為接收偏壓的柵極電極。

10.如權利要求7所述的基極調制的電流源，其中，所述放大器具有負增益。

11.如權利要求10所述的基極調制的電流源，其中，所述放大器的負增益在-0.5到-2的范圍內。

12.如權利要求7所述的基極調制的電流源，其中，所述放大器還包括：

第二晶體管，包括：

柵極電極，電耦合至第一晶體管的第一電極，和

漏極電極，電耦合至所述放大器的輸出端子；以及

第三晶體管，包括：

源極電極，電耦合至電源，

柵極電極，和

漏極電極，其中，第三晶體管的漏極電極電耦合至第三晶體管的柵極電極和第二晶體管的漏極電極。

13.如權利要求7所述的基極調制的電流源，其中，第一晶體管是NMOS晶體管，并且第一晶體管的第二電極耦合至低壓電源或者地。

14.如權利要求7所述的基極調制的電流源，其中，第一晶體管是PMOS晶體管，并且第一晶體管的第二電極耦合至高壓電源。

15.一種使用基極調制的電流源生成輸出電流的方法，該方法包括：

通過將偏壓施加在所述基極調制的電流源的第一晶體管的柵極電極來生成所述基極調制的電流源的輸出端子處的輸出電流，其中，第一晶體管的第一電極電耦合至所述基極調制的電流源的輸出端子；

將對應于所述輸出電流的第一輸出電壓供應給放大器的輸入端子；以及

利用由所述放大器生成的第二輸出電壓來驅動第一晶體管的基極電極。

16.如權利要求15所述的方法，其中，所述放大器具有負增益。

17.如權利要求16所述的方法，其中，所述放大器的負增益在-0.5到-2的范圍內。