[發明專利]閃存及其制作方法

有效

• 申請號: 201410328532.8
• 申請日: 2014-07-10
• 公開（公告）號: CN105448837B
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 胡建強
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L27/115;H01L27/11521
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種閃存的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步驟S1，在半導體襯底的上表面上制作包含浮柵和控制柵的柵極結構，所述控制柵的上表面與所述半導體襯底的上表面的距離為H₁；

步驟S2，在所述柵極結構的兩側制作側墻、源極和漏極；

步驟S3，在所述源極和漏極上形成第一金屬插塞；以及

步驟S4，回蝕所述第一金屬插塞得到第二金屬插塞，所述第二金屬插塞的上表面與所述半導體襯底的上表面的距離為H₂，且H₂＜H₁，所述第二金屬插塞作為所述閃存的共源極；

步驟S5，在所述半導體襯底上沉積介電材料，形成介質層；

步驟S6，刻蝕位于所述漏極的介質層，形成凹槽；以及

步驟S7，向所述凹槽內沉積金屬，形成第三金屬插塞。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述控制柵的下表面與所述半導體襯底的上表面的距離為H₃，且H₂≤H₃。

3.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一金屬插塞的材料為金屬鎢。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S3包括：

步驟S31，在所述半導體襯底上沉積金屬；

步驟S32，將所述金屬減薄至所述側墻的頂部所在平面，得到所述第一金屬插塞。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S32采用化學機械拋光法減薄所述金屬，所述化學機械拋光中金屬與氮化硅的選擇比為20:1～50:1。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述側墻的側墻材料為氧化硅和/或氮化硅。

7.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S6包括：

步驟S61，在完成所述步驟S5的半導體襯底上沉積形成光刻膠層；

步驟S62，對所述光刻膠層進行圖案化處理，在所述漏極對應的位置形成開口，且所述開口的寬度大于相鄰所述第二金屬插塞的寬度；

步驟S63，以所述圖案化的光刻膠層為掩膜，對所述介質層進行刻蝕，形成所述凹槽；

步驟S64，去除所述圖案化的光刻膠層。

8.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述介質層的所述介電材料為SiOCH、氧化硅、氮化硅、氟硅玻璃或摻雜碳的氧化硅，所述刻蝕過程中，所述介質層與所述側墻的選擇比為20:1～100:1。

9.根據權利要求7所述的制作方法，其特征在于，形成所述第三金屬插塞的材料為金屬鎢。