[發(fā)明專利]多層陶瓷電子組件和安裝有該多層陶瓷電子組件的板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410326571.4 | 申請日： | 2014-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN104465085B | 公開（公告）日： | 2017-09-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 柳泰列;小野雅章 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/30 | 分類號： | H01G4/30;H01G4/232;H05K1/18 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286 | 代理人： | 尹淑梅,戴嵩瑋 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 陶瓷 電子 組件 裝有 | ||
1.一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括：
陶瓷主體，包括介電層，當陶瓷主體的寬度為w且陶瓷主體的厚度為t時，滿足t/w>1.0；以及
第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對，在陶瓷主體內(nèi)使介電層置于第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間，
其中，當在陶瓷主體的沿厚度方向的上部堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M2時，滿足M1>M2，
其中，在陶瓷主體的所述上部堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的寬度基本上相同，在陶瓷主體的所述下部堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的寬度基本上相同。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，M1和M2滿足0.85≤M2/M1≤0.97。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，當從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具有最小寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為a1和a2，并且從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具有最大寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為b1和b2時，滿足0.70≤(b1+b2)/(a1+a2)≤0.93。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，陶瓷主體的寬度和厚度滿足1.2≤t/w≤3.0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述陶瓷主體包括用于使陶瓷主體的上部和下部相互區(qū)別開的區(qū)別部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層陶瓷電子組件，其中，所述區(qū)別部包括介電層，從由Ni、Mn、Cr和V組成的組中選擇的至少一種金屬被添加到所述介電層中。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層陶瓷電子組件，其中，區(qū)別部是通過激光標記產(chǎn)生的標記。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，介電層以500個或更多個層的量堆疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極沿陶瓷主體的厚度方向堆疊。
10.一種多層陶瓷電子組件，所述多層陶瓷電子組件包括：
陶瓷主體，包括介電層，當陶瓷主體的寬度為w且陶瓷主體的厚度為t時，滿足t/w>1.0，陶瓷主體具有沿寬度方向彼此相對的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面；
第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極，堆疊為彼此面對，在陶瓷主體內(nèi)使介電層置于具第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極；
第一側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的一側(cè)與所述第一側(cè)表面之間，并且包括位于第一側(cè)邊緣部的下部的第一聲學(xué)噪聲減小部；以及
第二側(cè)邊緣部，形成在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的沿寬度方向的另一側(cè)與所述第二側(cè)表面之間，并且包括位于第二側(cè)邊緣部的下部的第二聲學(xué)噪聲減小部，
其中，當在陶瓷主體的沿厚度方向的上部堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M1，并且在陶瓷主體的沿厚度方向的下部堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的平均寬度為M2時，滿足M1>M2，
其中，在陶瓷主體的上部堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的寬度基本上相同，在陶瓷主體的下部堆疊的第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極的寬度基本上相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，第一聲學(xué)噪聲減小部和第二聲學(xué)噪聲減小部的平均寬度比第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部的平均寬度寬。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，M1和M2滿足0.85≤M2/M1≤0.97。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的多層陶瓷電子組件，其中，當從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具有最小寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為a1和a2，并且從第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極中的具有最大寬度的內(nèi)電極的兩側(cè)到陶瓷主體的第一側(cè)表面和第二側(cè)表面的距離分別為b1和b2時，滿足0.70≤(b1+b2)/(a1+a2)≤0.93。
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