[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法以及電子設備

有效

• 申請號: 201410325781.1
• 申請日: 2014-07-09
• 公開（公告）號: CN104300003B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發明（設計）人: 甘利浩一
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種薄膜晶體管，包括：

柵電極以及一對源電極和漏電極；以及

半導體層，具有形成在其中的溝道，并且具有分別連接至所述一對源電極和漏電極的一對連接部，

其中，所述一對連接部中的每一個在橫穿所述柵電極的相對面中的一個或兩個面為非平面，其中，每一個所述連接部形成通孔的壁面，所述通孔穿透所述半導體層的全部厚度、第一絕緣層的全部厚度以及第二絕緣層的厚度的至少部分，所述第一絕緣層設置在所述半導體層與所述一對源電極和漏電極之間，所述第二絕緣層設置在所述半導體層與所述柵電極之間。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，每一個所述連接部具有凹凸形的截面。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其中，所述凹凸形是梳形、圓形、鋸齒形、波形以及透鏡陣列形之一。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述通孔的所述壁面至少在所述半導體層中為錐形。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述半導體層是由低溫多晶硅、氧化物半導體材料以及有機半導體材料之一形成。

6.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述半導體層設置在所述柵電極與所述第一絕緣層之間。

7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述柵電極設置在所述第二絕緣層和基板之間。

8.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述一對連接部的形狀彼此不同。

9.一種制造薄膜晶體管的方法，所述方法包括：

在基板上形成柵電極；

在所述基板和所述柵電極上形成半導體層；

在所述半導體層中形成通孔，并且形成一對連接部，所述一對連接部中的每一個在橫穿所述柵電極的相對面中的一面或兩面為非平面；以及

在所述半導體層上形成一對源電極和漏電極，所述源電極和漏電極經由所述連接部連接至所述半導體層，

其中，每一個所述連接部形成所述通孔的壁面，所述通孔穿透所述半導體層的全部厚度、第一絕緣層的全部厚度以及第二絕緣層的厚度的至少部分，所述第一絕緣層設置在所述半導體層與所述一對源電極和漏電極之間，所述第二絕緣層設置在所述半導體層與所述柵電極之間。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述連接部由干法蝕刻形成。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述半導體層設置在所述柵電極與所述第一絕緣層之間。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，所述柵電極設置在所述第二絕緣層與基板之間。

13.一種設置有顯示單元的電子設備，所述顯示單元設置有多個顯示器件和被配置為驅動所述顯示器件的多個薄膜晶體管，每一個所述薄膜晶體管包括：

柵電極以及一對源電極和漏電極；以及

半導體層，具有形成在其中的溝道，并且具有分別連接至所述一對源電極和漏電極的一對連接部，

其中，所述一對連接部中的每一個在橫穿所述柵電極的相對面中的一個或兩個面為非平面，

其中，每一個所述連接部形成通孔的壁面，所述通孔穿透所述半導體層的全部厚度、第一絕緣層的全部厚度以及第二絕緣層的厚度的至少部分，所述第一絕緣層設置在所述半導體層與所述一對源電極和漏電極之間，所述第二絕緣層設置在所述半導體層與所述柵電極之間。