[發明專利]半導體封裝及其方法

有效

• 申請號: 201410325271.4
• 申請日: 2014-07-09
• 公開（公告）號: CN104851815B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 周世文
• 申請（專利權）人: 南茂科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/495
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 徐潔晶

技術領域

本發明是有關于一種半導體封裝及其方法，特別是有關于一種磁電阻式隨機存取存儲器芯片封裝及其方法。

背景技術

磁電阻式隨機存取存儲器芯片主要是利用電子的自旋特性，通過磁性結構中自由層的磁化方向不同所產生的磁阻變化來記錄信號的“0”與“1”，其運作的基本原理與在硬盤上存儲數據一樣，所儲存的數據具有永久性，直到被外界的磁場影響之后，才會改變這個磁性數據。其耗能低及反應速度快的特性，和靜態隨機存取存儲器(SRAM)相同，而其積集度高，和動態隨機存取存儲器(DRAM)相同。換句話說，MRAM具備了SRAM和DRAM共同的優點，MRAM在市場上大量運用的機會是指日可待的。

由于MRAM的操作特性，需要隔絕不必要，或者非讀寫操作的磁場影響，因此在MRAM的封裝上，需要做磁場隔絕的保護。已知外部磁場隔絕結構，是通過一金屬層遮蔽芯片，以達到磁屏蔽的效果。目前做法有二種，一種是直接貼附于芯片的有源表面，一種是形成于封裝材料之外。第一種作法的缺點在于，其對于芯片對外連接的導線(wire)，并無法提供磁屏蔽的效果，外部磁場可能經由芯片的打線區域(wire-bonding region)滲入芯片中，而造成磁阻改變。而第二種做法，一般需要讓部分導線暴露于封裝材料外，然后經由濺鍍方式在封裝材料外形成金屬層，以形成磁屏蔽。此種方法不但需要特殊機臺，工藝復雜，且容易造成導線偏移(wire sweep)，在后續切割封裝材料時，刀具會接觸金屬層，容易產生毛邊或者造成刀具磨損。

發明內容

本發明的目的之一，就是提出一種半導體封裝及其方法，可以解決上述已知技術的缺點。

本發明的另一目的在于，提供一種半導體封裝及其方法，可以包覆打線區域及包覆導線，且防止導線偏移。

本發明的再一目的在于，提供一種半導體封裝及其方法，無須特殊機臺，可以簡化工藝。

根據本發明的上述目的，提供一種半導體封裝包括：一封裝載體、一芯片、一薄膜、一第一屏蔽金屬板以及一封裝材料。其中封裝載體，具有至少一導體部件；芯片具有一有源表面及對應的一芯片背面，芯片以背面貼附于封裝載體上。其中有源表面具有至少一接點，接點以一導線與導體部件電性連接。薄膜則配置于有源表面上，且包覆部分導線。第一屏蔽金屬板配置于薄膜上；封裝材料包覆芯片、導線、至少部分封裝載體、薄膜以及至少部分第一屏蔽金屬板。

根據本發明的某些實施例，半導體封裝更包括一第二屏蔽金屬板配置于芯片與封裝載體之間。其中第一屏蔽金屬板及第二屏蔽金屬板的材質包括鐵鎳合金。

根據本發明的某些實施例，其中封裝載體包括一導線架，而導體部件為一引腳。根據本發明的其他實施例，封裝載體包括一電路板基板，而導體部件為一線路。

根據本發明的某些實施例，芯片包括一磁電阻式隨機存取存儲器芯片(MRAM)。

根據本發明的上述目的，提供一種半導體封裝方法，包括：提供一封裝載體，封裝載體具有至少一導體部件。提供一芯片，其中芯片具有一有源表面及對應的一芯片背面，將芯片以背面貼附于封裝載體上，其中有源表面具有至少一接點。以一導線電性連接接點與導體部件。提供一第一屏蔽金屬板，且第一屏蔽金屬板上具有一薄膜，將第一屏蔽金屬板覆蓋于有源表面上，使得薄膜覆蓋有源表面，且包覆部分導線。提供一封裝材料、包覆芯片、導線、至少部分封裝載體、薄膜以及至少部分第一屏蔽金屬板。

根據本發明的某些實施例，在提供芯片前，更包括貼附一第二屏蔽金屬板于封裝載體上，且芯片是以背面貼附于第二屏蔽金屬板上。

根據本發明的某些實施例，其中第一屏蔽金屬板及第二屏蔽金屬板的材質包括鐵鎳合金。其中芯片包括一磁電阻式隨機存取存儲器芯片(MRAM)。

根據本發明的半導體封裝及其方法，屏蔽金屬板可以包覆打線區域及包覆導線，且防止導線偏移。而屏蔽金屬板覆蓋于芯片的有源表面并無須特殊機臺，因此可以簡化工藝。

附圖說明

圖1至圖5繪示根據本發明的一種半導體封裝方法，各工藝步驟的剖面示意圖。

圖6繪示根據本發明另一實施例，一種半導體封裝的剖面示意圖。

圖7繪示根據本發明再一實施例，一種半導體封裝的剖面示意圖。

關于本發明的優點，精神與特征，將以實施例并參照所附附圖，進行詳細說明與討論。值得注意的是，為了讓本發明能更容易理解，后附的附圖僅為示意圖，相關尺寸并非以實際比例繪示。

【附圖標記說明】

100：導線架120：導線