[發(fā)明專(zhuān)利]波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置及光源系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410325211.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105276525A | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-01-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊佳翼;胡飛 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 深圳市繹立銳光科技開(kāi)發(fā)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | F21V7/22 | 分類(lèi)號(hào): | F21V7/22;F21V29/00 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波長(zhǎng) 轉(zhuǎn)換 裝置 光源 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說(shuō),涉及波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置及光源系統(tǒng)。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置如圖1所示,該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置包括基底11、熒光粉層13以及馬達(dá)14。為了保證熒光粉層的散熱,通?;?1為氮化鋁陶瓷。
采用這種結(jié)構(gòu)的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置,當(dāng)激發(fā)光照射該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置時(shí),該波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置出射的受激光中,有一部分受激光的方向與激發(fā)光的方向相反,但有一部分受激光的方向與激發(fā)光的方向相同,此時(shí),無(wú)論與激發(fā)光的方向相反的方向上還是在與激發(fā)光的方向相同的方向上對(duì)受激光進(jìn)行收集并利用,都會(huì)存在光的損失,從而降低了光利用率。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供了一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置,以解決波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置出射的光的利用率低的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置,包括基底和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層,還包括反射層,所述反射層設(shè)置于所述基底的一表面,所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述反射層的背離所述基底的表面。
優(yōu)選的,所述反射層包括在所述基底的表面采用預(yù)設(shè)的氧化方式形成的氧化鋁層。
優(yōu)選的,所述反射層還包括至少一子反射層,所述至少一子反射層設(shè)置于所述氧化鋁層上,多層所述子反射層層疊設(shè)置。
優(yōu)選的,所述反射層包括至少兩層層疊設(shè)置的子反射層。
優(yōu)選的,每層所述子反射層通過(guò)反射顆粒與粘接材料燒結(jié)而成。
優(yōu)選的,相鄰兩層所述子反射層的反射顆粒和/或粘接材料不同。
本發(fā)明還提供了一種包括上述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置的光源系統(tǒng)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明通過(guò)在波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置的基底與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置反射層,通過(guò)反射層可以對(duì)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層出射的光進(jìn)行反射,提高光利用率。同時(shí)該反射層包括在基底的表面形成的氧化鋁層和/或至少兩層層疊設(shè)置的子反射層,從而可提高該反射層的反射率,進(jìn)而使該反射層可以薄型化,改善導(dǎo)熱性能。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)圖;
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4、5為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6、7為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖8、9為本發(fā)明第五實(shí)施例提供的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明提供了一種波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置,包括基底和波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層,還包括反射層,所述反射層設(shè)置于所述基底的一表面,所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述反射層的背離所述基底的表面。
其中反射層包括在所述基底的表面采用預(yù)設(shè)的氧化方式形成的氧化鋁層,或者,反射層包括氧化鋁層以及層疊設(shè)置在氧化鋁層之上的至少一子反射層,或者反射層包括至少兩層層疊設(shè)置的子反射層。
本發(fā)明還提供了一種光源系統(tǒng),包括如上所述的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置。
本發(fā)明所提供的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換裝置通過(guò)在基底與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層之間設(shè)置反射層,通過(guò)反射層可以對(duì)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層出射的光進(jìn)行反射,提高光利用率。同時(shí)該反射層包括在基底的表面形成的氧化鋁層和/或至少兩層層疊設(shè)置的子反射層,從而可提高該反射層的反射率,進(jìn)而使該反射層可以薄型化,改善導(dǎo)熱性能。
以上是本發(fā)明的核心思想,為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式做詳細(xì)的說(shuō)明。
在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明,但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似應(yīng)用,因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
其次,本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述,在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí),為便于說(shuō)明,表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大,而且所述示意圖只是示例,其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外,在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
下面通過(guò)幾個(gè)實(shí)施例詳細(xì)描述。
實(shí)施例一
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