[發(fā)明專利]波長轉(zhuǎn)換裝置及光源系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410325211.2 | 申請日: | 2014-07-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105276525A | 公開(公告)日: | 2016-01-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊佳翼;胡飛 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市繹立銳光科技開發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào): | F21V7/22 | 分類號(hào): | F21V7/22;F21V29/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳市南山區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 波長 轉(zhuǎn)換 裝置 光源 系統(tǒng) | ||
1.一種波長轉(zhuǎn)換裝置,包括基底和波長轉(zhuǎn)換層,其特征在于,還包括反射層,所述反射層設(shè)置于所述基底的一表面,所述波長轉(zhuǎn)換層設(shè)置于所述反射層的背離所述基底的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,所述反射層包括在所述基底的表面采用預(yù)設(shè)的氧化方式形成的氧化鋁層。
3.如權(quán)利要求2所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,所述預(yù)設(shè)的氧化方式包括高溫氧化方式。
4.如權(quán)利要求2或3所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,所述基底為氮化鋁基底。
5.如權(quán)利要求2所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,所述反射層還包括至少一子反射層,所述至少一子反射層設(shè)置于所述氧化鋁層上,多層所述子反射層層疊設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,所述反射層包括至少兩層層疊設(shè)置的子反射層。
7.如權(quán)利要求5或6所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,每層所述子反射層通過反射顆粒與粘接材料燒結(jié)而成。
8.如權(quán)利要求7所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,相鄰兩層所述子反射層的反射顆粒和/或粘接材料不同。
9.如權(quán)利要求7所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,每層所述子反射層中的反射顆粒均勻分布,所述反射顆粒呈球形。
10.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,所述波長轉(zhuǎn)換裝置還包括:
散熱器,所述散熱器設(shè)置于所述基底的背離所述反射層的表面。
11.如權(quán)利要求10所述的波長轉(zhuǎn)換裝置,其特征在于,所述散熱器為金屬板或者帶有鰭片的異形金屬板。
12.一種光源系統(tǒng),其特征在于,所述光源系統(tǒng)包括所述權(quán)利要求1至11任一項(xiàng)所述波長轉(zhuǎn)換裝置。
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