[發(fā)明專利]一種離子束垂直聚焦裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410324394.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104037044A | 公開(公告)日: | 2014-09-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張進(jìn)學(xué) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京中科信電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J37/21 | 分類號(hào): | H01J37/21 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113 | 代理人: | 馬強(qiáng);李發(fā)軍 |
| 地址: | 101100 北京市通*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 離子束 垂直 聚焦 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造控制系統(tǒng),尤其涉及一種離子束垂直聚焦的裝置,?垂直聚焦透鏡調(diào)節(jié)經(jīng)過分析器分析后束流的聚焦?fàn)顟B(tài),保證在不同束流狀態(tài)下的分析精度和束流的傳輸效率,該裝置是低能大束流離子注入裝備中的關(guān)鍵裝置之一。
背景技術(shù)
現(xiàn)有半導(dǎo)體集成電路制造技術(shù)中,隨著半導(dǎo)體集成電路技術(shù)的發(fā)展,集成度越來越高,電路規(guī)模越來越大,電路中單元器件尺寸越來越小,對(duì)各半導(dǎo)體工藝設(shè)備提出了更高的要求。隨著芯片生產(chǎn)工藝發(fā)展對(duì)低能大束流的離子注入設(shè)備需求旺盛,45nm?低能大束流離子注入機(jī)在?IC?工藝中應(yīng)用非常廣泛,已成為離子注入關(guān)鍵工藝設(shè)備。
寬帶離子源產(chǎn)生高密度等離子體,由引出系統(tǒng)引出具有一定寬度尺寸的寬帶離子束,然后寬帶離子束進(jìn)入分析磁鐵,寬帶束受分析磁場(chǎng)約束發(fā)生偏轉(zhuǎn),寬帶離子束在分析磁場(chǎng)垂直和水平分量的作用下,實(shí)現(xiàn)垂直和水平雙聚焦,水平焦點(diǎn)位于分析光欄處,垂直方向聚焦主要控制束流在垂直方向的高度,減少傳輸損失;進(jìn)入分析磁場(chǎng)的離子束中符合分析磁鐵分選參數(shù)的離子在分析光欄處匯聚成焦斑,能夠順利通過分析光欄,其它離子被散射到真空腔或被光欄所遮擋,不能進(jìn)入分析光欄后的空間,完成對(duì)離子源引出束流的分選;在分析磁鐵出口和分析光欄之間設(shè)置的?水平聚焦透鏡和垂直聚焦透鏡分別調(diào)節(jié)分析后束流的水平和垂直聚焦?fàn)顟B(tài),提高分析后束流的傳輸效率,并更好地適應(yīng)后續(xù)光路的傳輸,因此,離子垂直聚焦裝置是低能大束流離子注入機(jī)必不可少的關(guān)鍵裝置。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明旨在提供一種離子束垂直聚焦裝置,該裝置可以調(diào)節(jié)經(jīng)過分析器分析后束流的垂直聚焦?fàn)顟B(tài),保證在不同束流狀態(tài)下的分析精度和束流的傳輸效率。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
一種離子束垂直聚焦裝置,包括具有透鏡腔體的殼體,以及裝在殼體上的蓋板;所述蓋板上裝有冷卻液接頭和電器接頭;其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是,所述殼體的透鏡腔體內(nèi)裝有至少一對(duì)用于產(chǎn)生對(duì)稱磁場(chǎng)對(duì)離子束進(jìn)行垂直聚焦的磁鐵,每對(duì)磁鐵之間形成用于通過離子束的扇形的束流通道,該束流通道左右兩側(cè)壁與相應(yīng)側(cè)的磁鐵產(chǎn)生的磁力線垂直;所述磁鐵豎向布置,所述束流通道橫向布置;所述束流通道與磁鐵之間設(shè)有防止金屬污染透鏡腔體的石墨防護(hù)板。
以下為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)的技術(shù)方案:
優(yōu)選地,所述包括磁芯,繞裝在磁芯上的線包,以及裝在磁芯側(cè)面上的第一磁片和第二磁片;所述線包與所述電器接頭電連接。
進(jìn)一步地,所述磁芯側(cè)面開有磁極槽,所述第一磁片和第二磁片固定安裝在所述磁極槽內(nèi)。所述磁芯及磁片優(yōu)選采用DT4材質(zhì)。
作為一種具體的結(jié)構(gòu)形式,所述石墨防護(hù)板包括用于固定在殼體上的固定擋板,以及與所述固定擋板固定相連的上下襯板和左右襯板;所述上下襯板和左右襯板包繞所述束流通道形成扇形通道。
為了更好地對(duì)磁鐵進(jìn)行冷卻,所述磁芯內(nèi)開有與所述冷卻液接頭連通的冷卻液通道。
所述蓋板上裝有手柄;在殼體的端部裝有便于安裝離子束垂直聚焦裝置的導(dǎo)向滑座。為了方便安裝拆卸本發(fā)明的裝置,所述導(dǎo)向滑座內(nèi)裝有直線軸承,將一光桿穿過導(dǎo)向滑座,拆卸緊固件后,即可推動(dòng)或拉出本發(fā)明的裝置。
所述磁鐵通過定外銷固定在殼體內(nèi)壁上。
進(jìn)一步地,所述束流通道左右兩側(cè)壁之間的夾角為14°~18°,且束流通道的出口寬度為62-72mm,該束流通道的進(jìn)口寬度為23~33mm。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述殼體的透鏡腔體內(nèi)裝有兩個(gè)用于產(chǎn)生對(duì)稱磁場(chǎng)對(duì)離子束進(jìn)行垂直聚焦的磁鐵。
以下對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的描述:
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:
1)、本裝置整體結(jié)構(gòu)上緊湊,便于安裝拆卸;
2)、用變繞線方向的磁極代替同繞線方向磁極產(chǎn)生磁場(chǎng),使離子束聚焦?fàn)顟B(tài)更靈活調(diào)節(jié);
3)、裝置通過調(diào)節(jié)磁極線圈的電流控制焦距,使得焦距可根據(jù)離子注入光束傳輸要求調(diào)整;
4)、裝置設(shè)計(jì)有冷卻管路,可以延長(zhǎng)離子束聚焦透鏡壽命。
5)、有石墨防護(hù)板,防止金屬污染。
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附圖說明
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步闡述。
附圖說明
圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明的磁鐵結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本發(fā)明的石墨防護(hù)板結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4是圖1的縱向剖面圖;
圖5是圖1的水平剖面圖。
具體實(shí)施方式
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