[發明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及液晶顯示裝置

有效

• 申請號: 201410323333.8
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN104112710B
• 公開（公告）日: 2017-01-18
• 發明（設計）人: 柴立
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300
• 代理人: 黃威

技術領域

本發明涉及液晶技術領域，特別是涉及一種陣列基板的制作方法、陣列基板及液晶顯示裝置。

背景技術

隨著信息社會的發展，人們對液晶顯示設備的需求越來越高，因而推動了液晶顯示面板行業的快速發展，液晶顯示面板的尺寸也越做越大，客戶對液晶顯示面板的品質要求也越來越高。

目前由于掃描驅動信號在掃描線上的衰減，導致衰減比較嚴重區域的顯示畫面的顯示亮度，比衰減較輕區域的顯示畫面的顯示亮度要低。對于大尺寸的液晶顯示面板，表現出來即為，在同一灰階畫面下，兩側的顯示畫面會比中間的顯示畫面的顯示亮度要高(兩側的掃描驅動信號的衰減較小)。

對于上述的問題，目前有兩種改善方案：

一、減少掃描線的阻抗，可以增加掃描線的線寬，但是增加掃描線的線寬會減小像素單元的開口率。

二、對掃描驅動信號進行波形消角處理，這樣導致液晶顯示裝置整體的亮度變低，需要通過增加背光源的功率，來加大液晶顯示裝置的顯示亮度，從而增加了液晶顯示裝置的功耗。

故，有必要提供一種陣列基板的制作方法及陣列基板，以解決現有技術所存在的問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種陣列基板的制作方法、陣列基板及液晶顯示裝置，以解決現有的液晶顯示裝置的顯示畫面的顯示亮度不均、開口率較低或制作成本較高的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明實施例提供一種陣列基板的制作方法，所述陣列基板設置在相應的液晶顯示面板中，其中所述制作方法包括：

在所述襯底基板上沉積第一金屬層，并通過圖形化處理形成掃描線；

沉積第一絕緣層，并對所述第一絕緣層進行圖形化處理；其中所述液晶顯示面板兩側的所述陣列基板的所述第一絕緣層的厚度大于所述液晶顯示面板中間的所述陣列基板的所述第一絕緣層的厚度；

沉積半導體層以及第二金屬層，并通過圖形化處理形成數據線以及薄膜場效應晶體管；

沉積第二絕緣層，并通過圖形化處理形成接觸孔；以及

沉積透明電極層，并通過圖形化處理形成所述像素電極，其中所述像素電極通過所述接觸孔與所述薄膜場效應晶體管連接。

在本發明所述的陣列基板的制作方法中，整個所述陣列基板的所述圖形化處理后的第一絕緣層的截面形狀為具有一條曲邊的曲邊四邊形，所述曲邊為凹弧狀。

在本發明所述的陣列基板的制作方法中，所述對所述第一絕緣層進行圖形化處理的步驟包括：

在所述第一絕緣層上進行光阻涂布操作；

使用漸變光罩對所述光阻進行曝光操作；

對所述曝光操作后的光阻進行顯影操作，以形成具有弧面的光阻；以及

對涂布所述具有弧面的光阻的第一絕緣層進行干法刻蝕，以形成所述圖形化處理后的第一絕緣層。

在本發明所述的陣列基板的制作方法中，所述對涂布所述具有弧面的光阻的第一絕緣層進行干法刻蝕的步驟包括：

將所有所述具有弧面的光阻進行灰化操作；以及

對所述第一絕緣層進行干法刻蝕操作，以形成所述圖形化處理后的第一絕緣層

在本發明所述的陣列基板的制作方法中，所述漸變光罩的中間部分的遮光率小于所述漸變光罩的兩側部分的遮光率。

在本發明所述的陣列基板的制作方法中，所述沉積半導體層以及第二金屬層的步驟包括：

在所述半導體層上形成歐姆接觸層；以及

在所述歐姆接觸層上沉積所述第二金屬層。

本發明實施例還提供一種陣列基板，設置在相應的液晶顯示面板中，其中所述陣列基板包括：

多個掃描線，用于傳輸掃描信號；

多個數據線，用于傳輸數據信號；

多個薄膜場效應晶體管，用于根據所述掃描信號，將所述數據信號傳輸給像素電極，以顯示所述數據信號；

第一絕緣層，設置在所述薄膜場效應晶體管與所述掃描線之間；以及

第二絕緣層，設置在所述像素電極與所述薄膜場效應晶體管之間；

其中所述液晶顯示面板兩側的所述陣列基板對應的所述第一絕緣層的厚度大于所述液晶顯示面板中間的所述陣列基板對應的所述第一絕緣層的厚度。

在本發明所述的陣列基板中，整個所述陣列基板的所述第一絕緣層的截面形狀為具有一條曲邊的曲邊四邊形，所述曲邊為凹弧狀。

在本發明所述的陣列基板中，所述薄膜場效應晶體管包括源極、漏極以及柵極，所述源極和所述漏極之間設置有溝道，所述源極與所述數據線連接，所述柵極與所述掃描線連接，所述漏極與所述像素電極連接。