[發明專利]陣列基板的制作方法、陣列基板及液晶顯示裝置有效
| 申請號: | 201410323333.8 | 申請日: | 2014-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN104112710B | 公開(公告)日: | 2017-01-18 |
| 發明(設計)人: | 柴立 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制作方法 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制作方法,所述陣列基板設置在相應的液晶顯示面板中,其特征在于,所述制作方法包括:
在所述襯底基板上沉積第一金屬層,并通過圖形化處理形成掃描線;
沉積第一絕緣層,并對所述第一絕緣層進行圖形化處理;其中所述液晶顯示面板兩側的所述陣列基板的所述第一絕緣層的厚度大于所述液晶顯示面板中間的所述陣列基板的所述第一絕緣層的厚度;
沉積半導體層以及第二金屬層,并通過圖形化處理形成數據線以及薄膜場效應晶體管;
沉積第二絕緣層,并通過圖形化處理形成接觸孔;以及
沉積透明電極層,并通過圖形化處理形成所述像素電極,其中所述像素電極通過所述接觸孔與所述薄膜場效應晶體管連接。
2.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,整個所述陣列基板的所述圖形化處理后的第一絕緣層的截面形狀為具有一條曲邊的曲邊四邊形,所述曲邊為凹弧狀。
3.根據權利要求2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述對所述第一絕緣層進行圖形化處理的步驟包括:
在所述第一絕緣層上進行光阻涂布操作;
使用漸變光罩對所述光阻進行曝光操作;
對所述曝光操作后的光阻進行顯影操作,以形成具有弧面的光阻;以及
對涂布所述具有弧面的光阻的第一絕緣層進行干法刻蝕,以形成所述圖形化處理后的第一絕緣層。
4.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述對涂布所述具有弧面的光阻的第一絕緣層進行干法刻蝕的步驟包括:
將所有所述具有弧面的光阻進行灰化操作;以及
對所述第一絕緣層進行干法刻蝕操作,以形成所述圖形化處理后的第一絕緣層。
5.根據權利要求3所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述漸變光罩的中間部分的遮光率小于所述漸變光罩的兩側部分的遮光率。
6.根據權利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述沉積半導體層以及第二金屬層的步驟包括:
在所述半導體層上形成歐姆接觸層;以及
在所述歐姆接觸層上沉積所述第二金屬層。
7.一種陣列基板,設置在相應的液晶顯示面板中,其特征在于,所述陣列基板包括:
多個掃描線,用于傳輸掃描信號;
多個數據線,用于傳輸數據信號;
多個薄膜場效應晶體管,用于根據所述掃描信號,將所述數據信號傳輸給像素電極,以顯示所述數據信號;
第一絕緣層,設置在所述薄膜場效應晶體管與所述掃描線之間;以及
第二絕緣層,設置在所述像素電極與所述薄膜場效應晶體管之間;
其中所述液晶顯示面板兩側的所述陣列基板對應的所述第一絕緣層的厚度大于所述液晶顯示面板中間的所述陣列基板對應的所述第一絕緣層的厚度。
8.根據權利要求7所述的陣列基板,其特征在于,整個所述陣列基板的所述第一絕緣層的截面形狀為具有一條曲邊的曲邊四邊形,所述曲邊為凹弧狀。
9.根據權利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述薄膜場效應晶體管包括源極、漏極以及柵極,所述源極和所述漏極之間設置有溝道,所述源極與所述數據線連接,所述柵極與所述掃描線連接,所述漏極與所述像素電極連接。
10.一種液晶顯示裝置,其特征在于,包括具有彩膜基板以及陣列基板的液晶顯示面板;
其中所述陣列基板包括:
多個掃描線,用于傳輸掃描信號;
多個數據線,用于傳輸數據信號;
多個薄膜場效應晶體管,用于根據所述掃描信號,將所述數據信號傳輸給像素電極,以顯示所述數據信號;
第一絕緣層,設置在所述薄膜場效應晶體管與所述掃描線之間;以及
第二絕緣層,設置在所述像素電極與所述薄膜場效應晶體管之間;
其中所述液晶顯示面板兩側的所述陣列基板對應的所述第一絕緣層的厚度大于所述液晶顯示面板中間的所述陣列基板對應的所述第一絕緣層的厚度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410323333.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:晶片封裝體及其制造方法
- 下一篇:在半導體制造中降低超低k介電層損傷的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





