[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法在審
| 申請號: | 201410323182.6 | 申請日: | 2014-07-08 |
| 公開(公告)號: | CN104425551A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發明(設計)人: | 閔卿旭 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明的示例性實施例涉及一種有機發光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。
背景技術
有機發光二極管(OLED)顯示器包括兩個電極和設置在它們之間的有機發射層,從一個電極注入的電子和從另一個電極注入的空穴在有機發射層中結合以產生激子,當激子釋放能量時執行光發射。
為了將這種OLED顯示器應用到諸如TV的大尺寸顯示器,已經增大了OLED顯示器的尺寸,但是當利用精細金屬掩膜(FMM)通過真空沉積工藝形成薄膜時,無法容易地制造出用于放大的OLED顯示器的大尺寸FMM。因此,已經提出了通過使OLED材料液化來印刷的方法應用于OLED顯示器的尺寸放大。
一般的印刷方法包括狹縫涂覆、噴墨印刷和噴嘴印刷等。在利用諸如印刷方法確定薄膜的厚度和表面輪廓時,無法容易地分析其中堆疊了層的薄膜的表面的復雜形狀,因此已經利用重量測量法、薄膜厚度測量法、視覺測量法和透射率測量法等來監測印刷裝置中的排放量的控制。然而,重量測量法、視覺測量法和透射率測量法無法得到關于印刷到OLED面板的單元層的信息。
另外,在作為真空沉積工藝中所使用的薄膜厚度測量方法的橢圓光度法的情況下,適于有機層厚度的光束尺寸是以毫米為單位的,因此不易測量數十至數百微米的像素中的膜厚度,或不易測量表面輪廓。因此,為了得到關于單元層的信息,在基底的外部邊緣處需要幾微米的監測圖案區域,并且作為真空工藝的結果而無法及時確定該厚度,從而如果發生故障,則會花費不期望的長的時間段來解決該故障。
在本背景技術部分中公開的以上信息僅用于增強對本發明的背景的理解,并且因此其可以包含不構成現有技術的信息。
發明內容
本發明的示例性實施例提供一種能夠迅速確定每層薄膜的厚度和輪廓的有機發光二極管(OLED)顯示器及其制造方法。
另外的方面將在下面的描述中部分地進行闡述,部分地通過描述將是清楚的或者可以通過實施本發明而獲知。
本發明的示例性實施例公開一種OLED顯示器,該OLED顯示器包括:基底,具有形成有機發光二極管的像素區域和圍繞像素區域的外圍區域;監測圖案,形成在外圍區域中并且彼此分開。
本發明的示例性實施例還公開了一種用于制造OLED顯示器的方法。所述方法可以包括:在基底的像素區域中形成有機發光二極管并且在圍繞像素區域的外圍區域中形成監測圖案;以及通過將監測圖案彼此進行比較來測量形成有機發光二極管的有機發光構件的每層有機薄膜的厚度。
本發明的示例性實施例還公開了一種OLED顯示器,該OLED顯示器包括:基底,包括像素區域和圍繞像素區域的外圍區域;有機發光二極管,設置在像素區域中的基底上;監測圖案,形成為彼此分開并且設置在外圍區域中,其中,有機發光二極管包括有機發光構件,有機發光構件包括層疊布置的有機薄膜,監測圖案中的至少一個由與有機薄膜中的一個薄膜的材料相同的材料制成。
將要理解的是,所有前述一般描述和以下的詳細描述是示例性和解釋性的,并且意圖提供所請求保護的發明的進一步解釋。
附圖說明
附圖示出了本發明的示例性實施例,并與描述一起用于說明本發明的原理,其中,包括附圖以提供對本發明的進一步理解,附圖包括在本說明書中并構成本說明書的一部分。
圖1是根據本發明的示例性實施例的OLED顯示器的等效電路圖。
圖2是根據本發明的示例性實施例的OLED顯示器的剖視圖。
圖3至圖7是根據本發明的示例性實施例的OLED顯示器的制造工藝的剖視圖。
圖8是根據本發明的示例性實施例的OLED顯示器的剖視圖。
具體實施方式
在下文中將參照附圖更充分地描述本發明,在附圖中示出了本發明的示例性實施例。然而,本發明可以以許多不同的形式來實施,并且不應當被解釋為限制于這里所闡述的示例性實施例。而是,提供這些實施例使得本公開是徹底的,并且這些示例性實施例將把本發明的范圍充分地傳達給本領域技術人員。在附圖中,為了清晰起見可以夸大元件的尺寸和相對尺寸。在附圖中同樣的附圖標記表示同樣的元件。
因此,附圖和描述本質上將被認為是說明性的而不是限制性的。為了更好地理解并易于描述,選擇性地確定了附圖中示出的組件的尺寸和厚度,本發明不限于附圖中示出的示例。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





