[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410323182.6 | 申請(qǐng)日: | 2014-07-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104425551A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 閔卿旭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強(qiáng);尹淑梅 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括:
基底,包括像素區(qū)域和圍繞像素區(qū)域的外圍區(qū)域;
有機(jī)發(fā)光二極管,設(shè)置在像素區(qū)域中的基底上;以及
監(jiān)測圖案,形成為彼此分開并且設(shè)置在外圍區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,有機(jī)發(fā)光二極管包括:
開關(guān)元件,設(shè)置在像素區(qū)域中;
第一電極,與開關(guān)元件連接;
有機(jī)發(fā)光構(gòu)件,設(shè)置在第一電極上并且包括有機(jī)薄膜;
第二電極,設(shè)置在有機(jī)發(fā)光構(gòu)件上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,監(jiān)測圖案包括下層監(jiān)測圖案、中層監(jiān)測圖案、上層監(jiān)測圖案和參考監(jiān)測圖案;
有機(jī)薄膜包括下層有機(jī)薄膜、中層有機(jī)薄膜和上層有機(jī)薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,下層監(jiān)測圖案包括由與有機(jī)薄膜中的最下面的有機(jī)薄膜的材料相同的材料制成的下層監(jiān)測有機(jī)薄膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,中層監(jiān)測圖案包括分別由與下層有機(jī)薄膜和中層有機(jī)薄膜的材料相同的材料制成的下層監(jiān)測有機(jī)薄膜和中層監(jiān)測有機(jī)薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,上層監(jiān)測圖案包括分別由與下層有機(jī)薄膜、中層有機(jī)薄膜和上層有機(jī)薄膜的材料相同的材料制成的下層監(jiān)測有機(jī)薄膜、中層監(jiān)測有機(jī)薄膜和上層監(jiān)測有機(jī)薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,下層監(jiān)測有機(jī)薄膜包括子下層監(jiān)測有機(jī)薄膜,上層監(jiān)測有機(jī)薄膜包括子上層監(jiān)測有機(jī)薄膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還包括:
像素限定層,設(shè)置在像素區(qū)域中并且包括暴露第一電極的開口;以及
外圍像素限定層,設(shè)置在外圍區(qū)域中并且使監(jiān)測圖案分開,
其中,像素限定層和外圍像素限定層由相同的材料制成并且設(shè)置在同一層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,下層有機(jī)薄膜和下層監(jiān)測有機(jī)薄膜分別完全覆蓋像素限定層和外圍像素限定層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,參考監(jiān)測圖案包括由與第二電極的材料相同的材料制成并與第二電極設(shè)置在同一層上的參考監(jiān)測電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,下層有機(jī)薄膜設(shè)置在像素限定層的開口中,下層監(jiān)測有機(jī)薄膜設(shè)置在外圍像素限定層的開口中。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,其中,監(jiān)測圖案的數(shù)量比厚度將要被測量的有機(jī)薄膜的數(shù)量多一個(gè)。
13.一種用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,所述方法包括:
在基底的像素區(qū)域中形成有機(jī)發(fā)光二極管,并且通過沉積有機(jī)薄膜在基底的外圍區(qū)域中形成監(jiān)測圖案;以及
通過將監(jiān)測圖案彼此進(jìn)行比較來測量每層有機(jī)薄膜的厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,
其中,同時(shí)執(zhí)行有機(jī)發(fā)光二極管的形成和監(jiān)測圖案的形成。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,其中,監(jiān)測圖案包括下層監(jiān)測圖案、中層監(jiān)測圖案和上層監(jiān)測圖案;
有機(jī)發(fā)光二極管包括下層有機(jī)薄膜、中層有機(jī)薄膜和上層有機(jī)薄膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,其中,
下層監(jiān)測圖案包括第一下層監(jiān)測圖案和第二下層監(jiān)測圖案;
上層監(jiān)測圖案包括第一上層監(jiān)測圖案和第二上層監(jiān)測圖案。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,其中,下層監(jiān)測圖案包括由與下層有機(jī)薄膜的材料相同的材料制成的下層監(jiān)測有機(jī)薄膜。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法,其中,中層監(jiān)測圖案包括由與下層有機(jī)薄膜的材料相同的材料制成的下層監(jiān)測有機(jī)薄膜和由與中層有機(jī)薄膜的材料相同的材料制成的中層監(jiān)測有機(jī)薄膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
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