[發(fā)明專利]包括穿通孔的半導體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410323159.7
• 申請日: 2014-07-08
• 公開（公告）號: CN104576577B
• 公開（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設計）人: 樸日光;李鍾天;金洪謙
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;G01R31/02
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

具有穿通孔的半導體裝置包括：半導體芯片和通過穿通半導體芯片形成的穿通孔。系統(tǒng)還包括：第一金屬層，其在穿通孔的端部與穿通孔的一部分連接；以及第二金屬層，其在穿通孔的端部與穿通孔的另一部分連接。

相關申請的交叉引用

本申請要求2013年10月24日向韓國知識產權局提交的申請?zhí)枮?0-2013-0127193的韓國專利申請的優(yōu)先權，其全部內容通過引用合并于此，如同全文闡述。

技術領域

各種實施例涉及一種半導體裝置，并且更具體地涉及一種包括穿通硅通孔(TSV)的半導體裝置。TSV可以與其他芯片層疊。

背景技術

已提供了多個芯片被層疊且被封裝在單個封裝體中以達到更高集成度的三維(3D)半導體裝置。較新的用途包括穿通硅通孔(TSV)，層疊的芯片被TSV穿通，且層疊的芯片經由硅通孔電連接。

圖1是說明形成有TSV的半導體芯片的示意圖。

參見圖1，TSV12被形成為穿通半導體芯片11。穿通半導體芯片11以形成通孔，且在通孔周圍形成硅絕緣層13。接著將導電材料14填充至通孔中，從而形成穿通電極或能夠傳輸電子信號的穿通線。

金屬層15形成在TSV12之上。金屬層15覆蓋TSV12的上部，且與半導體芯片11的內部電路(未示出)電耦接。因此，半導體芯片11的內部電路通過金屬層15從TSV12接收信號或將信號傳輸至TSV12。

凸塊16層疊在金屬層15之上，且與另一個半導體芯片的另一個TSV耦接。因此，半導體芯片11可以與另一個半導體芯片電耦接且層疊。

發(fā)明內容

針對具有“穿通硅通孔”(TSV)(其上形成有多個分開的金屬層)且能夠測試TSV的連通性的半導體裝置提供了一個或更多個不同的實施例。

在一個實施例中，一種半導體裝置可以包括：半導體芯片、通過穿通半導體芯片形成的穿通孔、在穿通孔的端部處與穿通孔的一部分耦接的第一金屬層、以及在穿通孔的端部處與穿通孔的另一部分耦接的第二金屬層。

在一個實施例中，一種半導體裝置可以包括：穿通孔；第一金屬層；其在穿通孔的端部處與穿通孔的一部分耦接；第二金屬層，其在穿通孔的端部處與穿通孔的另一部分耦接；第一內部電路，其與第一金屬層耦接且被配置成將信號傳輸至穿通孔或接收經由穿通孔傳輸?shù)男盘枺灰约暗诙炔侩娐罚渑c第二金屬層耦接，且被配置成儲存經由穿通孔傳輸?shù)男盘柌Υ娴男盘栞敵鲋链┩住?/p>

在一個實施例中，一種包括半導體裝置的系統(tǒng)可以包括：半導體芯片、通過穿通半導體芯片形成的穿通孔、在穿通孔的端部處與穿通孔的一部分耦接的第一金屬層，以及在穿通孔的端部處與穿通孔的另一部分耦接的第二金屬層。

附圖說明

結合附圖來描述特征、方面和實施例，其中：

圖1是說明形成有TSV的半導體芯片的示意圖；

圖2是說明根據(jù)一個實施例的半導體裝置的示意圖；

圖3是說明根據(jù)一個實施例的半導體裝置的框圖；

圖4是說明圖3中所示的半導體裝置的詳細框圖；

圖5是說明圖4中所示的穿通孔單元的電路圖；

圖6A至圖6C是說明穿通填充有各種形式的導電材料且與金屬層耦接的穿通孔的示意圖。

具體實施方式

在本文中，以下將通過示例性實施例參照附圖來描述包括半導體裝置的系統(tǒng)以及半導體裝置。