[發(fā)明專利]包括穿通孔的半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410323159.7
• 申請(qǐng)日: 2014-07-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104576577B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樸日光;李鍾天;金洪謙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;G01R31/02
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;許偉群

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體芯片；

穿通孔，其通過(guò)穿通所述半導(dǎo)體芯片來(lái)形成；

第一金屬層，其在所述穿通孔的端部處與所述穿通孔的一部分耦接；

第二金屬層，其在所述穿通孔的該端部處與所述穿通孔的另一部分耦接，

其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層不直接彼此耦接。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

凸塊，其層疊在所述第一金屬層和所述第二金屬層之上，其中，所述凸塊與所述第一金屬層和所述第二金屬層共同耦接。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一金屬層與所述半導(dǎo)體芯片的第一內(nèi)部電路耦接。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二金屬層與所述半導(dǎo)體芯片的第二內(nèi)部電路耦接。

5.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

穿通孔；

第一金屬層，其在所述穿通孔的端部處與所述穿通孔的一部分耦接；

第二金屬層，其在所述穿通孔的該端部處與所述穿通孔的另一部分耦接；

第一內(nèi)部電路，其與所述第一金屬層耦接，且被配置成將信號(hào)傳送至所述穿通孔或接收經(jīng)由所述穿通孔傳輸?shù)男盘?hào)；以及

第二內(nèi)部電路，其與所述第二金屬層耦接，且被配置成儲(chǔ)存經(jīng)由所述穿通孔傳輸?shù)男盘?hào)以及將儲(chǔ)存的信號(hào)輸出至所述穿通孔，

其中，所述第一金屬層和所述第二金屬層不直接彼此耦接。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一內(nèi)部電路將數(shù)據(jù)傳送至所述穿通孔或接收從所述穿通孔輸出的數(shù)據(jù)。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一內(nèi)部電路還包括：

數(shù)據(jù)焊盤(pán)，被配置成輸入和/或輸出數(shù)據(jù)；

輸入鎖存單元，被配置成布置經(jīng)由所述數(shù)據(jù)焊盤(pán)接收的數(shù)據(jù)，并且將布置的數(shù)據(jù)輸出；

輸出鎖存單元，被配置成布置經(jīng)由所述穿通孔輸出的信號(hào)，并且將布置的信號(hào)作為數(shù)據(jù)輸出至所述數(shù)據(jù)焊盤(pán)；以及

穿通孔驅(qū)動(dòng)器，被配置成驅(qū)動(dòng)從所述輸入鎖存單元輸出的數(shù)據(jù)，并將所得的數(shù)據(jù)輸出至所述穿通孔，以及驅(qū)動(dòng)從所述穿通孔輸出的信號(hào)并將所得的信號(hào)輸出至所述輸出鎖存單元。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二內(nèi)部電路還包括：

穿通孔單元，被配置成儲(chǔ)存經(jīng)由所述穿通孔傳送的信號(hào)，其中，響應(yīng)于寫(xiě)入使能信號(hào)而儲(chǔ)存所述信號(hào)以及響應(yīng)于讀取使能信號(hào)而將儲(chǔ)存的信號(hào)輸出至所述穿通孔。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述穿通孔單元還包括：

鎖存單元，被配置成鎖存經(jīng)由所述穿通孔傳送的信號(hào)；

通過(guò)門(mén)，被配置成響應(yīng)于所述寫(xiě)入使能信號(hào)而將所述穿通孔與所述鎖存單元電連接；

驅(qū)動(dòng)器，被配置成響應(yīng)于所述讀取使能信號(hào)而將儲(chǔ)存在所述鎖存單元中的信號(hào)輸出至所述穿通孔。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

命令焊盤(pán)，被配置成接收寫(xiě)入命令信號(hào)和讀取命令信號(hào)；以及

內(nèi)部命令發(fā)生單元，被配置成基于所述寫(xiě)入命令信號(hào)和所述讀取命令信號(hào)來(lái)產(chǎn)生內(nèi)部寫(xiě)入信號(hào)和內(nèi)部讀取信號(hào)。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

第一可變延遲單元，被配置成通過(guò)將所述內(nèi)部寫(xiě)入信號(hào)可變地延遲來(lái)產(chǎn)生所述寫(xiě)入使能信號(hào)；以及

第二可變延遲單元，被配置成通過(guò)將所述內(nèi)部讀取信號(hào)可變地延遲來(lái)產(chǎn)生所述讀取使能信號(hào)。

12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，還包括：

選通焊盤(pán)，被配置成接收選通信號(hào)；以及

緩沖單元，被配置成響應(yīng)于所述內(nèi)部寫(xiě)入信號(hào)而緩沖所述選通信號(hào)。