[發明專利]數據寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置

在審

• 申請號: 201410319812.2
• 申請日: 2014-07-07
• 公開（公告）號: CN105023609A
• 公開（公告）日: 2015-11-04
• 發明（設計）人: 葉志剛;林緯
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/34
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明是有關于一種數據寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置，特別是有關于一種用于可重寫非易失性存儲器組件的數據寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置。

背景技術

數碼相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由于可重寫非易失性存儲器(rewritable?non-volatile?memory)具有數據非易失性、省電、體積小、無機械結構、讀寫速度快等特性，最適于便攜式電子產品，例如筆記本電腦。固態硬盤就是一種以快閃存儲器作為儲存媒體的儲存裝置。因此，近年快閃存儲器產業成為電子產業中相當熱門的一環。

圖1是根據現有技術所示出的快閃存儲器元件的示意圖。

請參照圖1，快閃存儲器元件1包含用于儲存電子的電荷捕捉層(charge?traping?layer)2、用于施加偏壓的控制柵極(Control?Gate)3、穿遂氧化層(Tunnel?Oxide)4與多晶硅間介電層(Interpoly?Dielectric)5。當欲寫入數據至快閃存儲器元件1時，可通過將電子注入電荷補捉層2以改變快閃存儲器元件1的臨界電壓，由此定義快閃存儲器元件1的電平高低態，而實現儲存數據的功能。在此，注入電子至電荷補捉層2的過程稱為程序化。反之，當欲將所儲存的數據移除時，通過將所注入的電子從電荷補捉層2中移除，則可使快閃存儲器元件1回復為未被程序化前的狀態。

在寫入與抹除過程中，快閃存儲器元件1會隨著電子的多次的注入與移除而造成磨損，導致電子寫入速度增加并造成臨界電壓分布變寬。因此，在快閃存儲器元件1被程序化后無法被正確地識別其儲存狀態，而產生錯誤比特。特別是，在快閃存儲器元件1處于高溫下，快閃存儲器元件1的數據保存力會下降，并且由此會發生更多的錯誤比特。

發明內容

本發明提供一種數據寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置，其能夠有效地防止過度程序化并減少錯誤比特的發生。

本發明實施例提出一種數據寫入方法，用于將數據寫入至存儲器儲存裝置的可重寫非易失性存儲器組件的存儲單元中。此數據寫入方法包括：檢測存儲器儲存裝置的運行溫度；并且判斷存儲器儲存裝置的運行溫度是否大于預先定義溫度。此數據寫入方法還包括，倘若存儲器儲存裝置的運行溫度大于預先定義溫度時，調整對應此可重寫非易失性存儲器組件的至少一預先定義操作參數以產生對應此可重寫非易失性存儲器組件的至少一個已調整操作參數并且根據此至少一個已調整操作參數寫入數據至此存儲單元中。

在本發明的一實施例中，上述調整對應可重寫非易失性存儲器組件的至少一預先定義操作參數以產生對應可重寫非易失性存儲器組件的至少一個已調整操作參數并且根據此至少一個已調整操作參數寫入數據至存儲單元中的步驟包括：記錄此存儲單元的磨損程度值；根據此存儲單元的磨損程度值，調整對應此存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補償值的至少其中之一；以及使用對應此存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補償值來程序化所述存儲單元，以將數據寫入至此存儲單元。

在本發明的一實施例中，上述根據存儲單元的磨損程度值調整對應存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補償值的至少其中之一的步驟包括：隨著存儲單元的磨損程度值增加，降低對應存儲單元的初始寫入電壓。

在本發明的一實施例中，上述根據存儲單元的磨損程度值調整對應存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補償值的至少其中之一的步驟包括：隨著存儲單元的磨損程度值增加，減少對應此存儲單元的寫入電壓脈沖時間。

在本發明的一實施例中，上述使用對應存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補償值來程序化存儲單元，以將數據寫入至此存儲單元的步驟包括：使用上述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈沖時間與上述補償值來進行此存儲單元的至少一個重復程序化；以及使用上述初始寫入電壓、上述寫入電壓脈沖時間與上述補償值來進行該存儲單元的其他重復程序化。

在本發明的一實施例中，上述存儲單元的磨損程度值是依據此存儲單元的抹除次數、寫入次數、錯誤比特數、錯誤比特比例及讀取次數的至少其中之一來決定。

在本發明的一實施例中，上述根據此存儲單元的磨損程度值調整對應此存儲單元的初始寫入電壓、寫入電壓脈沖時間與補償值的至少其中之一的步驟包括：隨著存儲單元的磨損程度值增加，減少對應此存儲單元的補償值。