[發明專利]數據寫入方法、存儲器控制電路單元與存儲器儲存裝置

在審

• 申請號: 201410319812.2
• 申請日: 2014-07-07
• 公開（公告）號: CN105023609A
• 公開（公告）日: 2015-11-04
• 發明（設計）人: 葉志剛;林緯
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/34
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

1.一種數據寫入方法，用于將數據寫入至一存儲器儲存裝置的一可重寫非易失性存儲器組件的一存儲單元中，其特征在于，該數據寫入方法包括：

檢測該存儲器儲存裝置的一運行溫度；

判斷該存儲器儲存裝置的該運行溫度是否大于一預先定義溫度；以及

倘若該存儲器儲存裝置的該運行溫度大于該預先定義溫度時，調整對應該可重寫非易失性存儲器組件的至少一預先定義操作參數以產生對應該可重寫非易失性存儲器組件的至少一個已調整操作參數并且根據該至少一個已調整操作參數寫入該數據至該存儲單元中。

2.根據權利要求1所述的數據寫入方法，其特征在于，上述調整對應該可重寫非易失性存儲器組件的該至少一預先定義操作參數以產生對應該可重寫非易失性存儲器組件的該至少一個已調整操作參數并且根據該至少一個已調整操作參數寫入該數據至該存儲單元中的步驟包括：

記錄所述存儲單元的磨損程度值；

根據所述存儲單元的磨損程度值，調整對應所述存儲單元的一初始寫入電壓、一寫入電壓脈沖時間與一補償值的至少其中之一；以及

使用對應所述存儲單元的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所述補償值來程序化所述存儲單元，以將所述數據寫入至所述存儲單元。

3.根據權利要求2所述的數據寫入方法，其特征在于，上述根據所述存儲單元的磨損程度值調整對應所述存儲單元的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所述補償值的至少其中之一的步驟包括：

隨著所述存儲單元的磨損程度值增加，降低對應所述存儲單元的所述初始寫入電壓。

4.根據權利要求2所述的數據寫入方法，其特征在于，上述根據所述存儲單元的磨損程度值調整對應所述存儲單元的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所述補償值的至少其中之一的步驟包括：

隨著所述存儲單元的磨損程度值增加，減少對應所述存儲單元的所述寫入電壓脈沖時間。

5.根據權利要求4所述的數據寫入方法，其特征在于，所述使用對應所述存儲單元的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所述補償值來程序化所述存儲單元，以將所述數據寫入至所述存儲單元的步驟包括：

使用所述初始寫入電壓、所減少的寫入電壓脈沖時間與所述補償值來進行該存儲單元的至少一個重復程序化；以及

使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所述補償值來進行該存儲單元的其他重復程序化。

6.根據權利要求2所述的數據寫入方法，其特征在于，所述存儲單元的磨損程度值是依據所述存儲單元的一抹除次數、一寫入次數、一錯誤比特數、一錯誤比特比例及一讀取次數的至少其中之一來決定。

7.根據權利要求2所述的數據寫入方法，其特征在于，上述根據所述存儲單元的磨損程度值調整對應所述存儲單元的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所述補償值的至少其中之一的步驟包括：

隨著所述存儲單元的磨損程度值增加，減少對應所述存儲單元的所述補償值。

8.根據權利要求7所述的數據寫入方法，其特征在于，所述使用對應所述存儲單元的所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所述補償值來程序化所述存儲單元，以將所述數據寫入至所述存儲單元的步驟包括：

使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所減少的補償值來進行該存儲單元的至少一個重復程序化；以及

使用所述初始寫入電壓、所述寫入電壓脈沖時間與所述補償值來進行該存儲單元的其他重復程序化。