[發明專利]圖案形成方法

在審

• 申請號: 201410319742.0
• 申請日: 2014-07-07
• 公開（公告）號: CN105206507A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 翁文毅;翁子文
• 申請（專利權）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種圖案形成方法，包括：

提供一晶片，該晶片包括多個晶片內部管芯與多個晶片邊緣管芯；以及

在各該晶片內部管芯上形成一第一圖案，且在各該晶片邊緣管芯上形成一第二圖案，其中

該些第一圖案的形成方法包括進行至少兩次曝光制作工藝，該些第二圖案的形成方法包括進行該至少兩次曝光制作工藝中的至少一次，且形成該些第二圖案所進行的曝光制作工藝次數少于形成該些第一圖案所進行的曝光制作工藝次數。

2.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中該至少兩次曝光制作工藝是對不同的光致抗蝕劑層進行。

3.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中該至少兩次曝光制作工藝是對相同的光致抗蝕劑層進行。

4.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中該些第一圖案與該些第二圖案的形成方法還包括在該晶片上形成至少一光致抗蝕劑層。

5.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中該些第一圖案與該些第二圖案的形成方法還包括對該晶片進行至少一次顯影制作工藝。

6.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中該些第一圖案與該些第二圖案的形成方法還包括：

以通過該至少兩次曝光制作工藝所形成的至少一圖案化光致抗蝕劑層為掩模，對一材料層進行至少一次蝕刻制作工藝。

7.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中該些第一圖案與該些第二圖案包括光致抗蝕劑圖案。

8.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中該些第一圖案與該些第二圖案包括實體圖案或開口圖案。

9.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中使形成該些第二圖案所進行的曝光制作工藝次數少于形成該些第一圖案所進行的曝光制作工藝次數的方法包括：

在進行該至少兩次曝光制作工藝中的至少一次中，使用擋板遮蔽該些晶片邊緣管芯。

10.如權利要求1所述的圖案形成方法，其中該些第二圖案的尺寸大于該些第一圖案的尺寸。