[發明專利]圖案形成方法

在審

• 申請號: 201410319742.0
• 申請日: 2014-07-07
• 公開（公告）號: CN105206507A
• 公開（公告）日: 2015-12-30
• 發明（設計）人: 翁文毅;翁子文
• 申請（專利權）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本發明涉及一種半導體制作工藝方法，且特別是涉及一種圖案形成方法。

背景技術

隨著半導體制作工藝技術的快速發展，為了增進元件的速度與效能，整個電路元件的尺寸必須不斷縮小，并持續不斷地提升元件的積成度(integrity)。一般而言，在半導體均趨向縮小電路元件的設計發展下，光刻制作工藝在整個制作工藝中占有舉足輕重的地位。在半導體制作工藝中，舉凡各層薄膜的圖案化等制作工藝，都是經由光刻制作工藝來定義其范圍并決定其關鍵尺寸(criticaldimension，CD)的大小。

圖案的形成方法通常是通過光刻制作工藝將圖案形成在光致抗蝕劑層上，然后再以光致抗蝕劑層做為蝕刻掩模，進行干式或是濕式蝕刻制作工藝，以將光致抗蝕劑層中的圖案轉移到下方的材料層。

然而，由于位于晶片邊緣的晶片邊緣管芯上的圖案在半導體制作工藝中容易產生崩塌，因而會降低產品的良率。

發明內容

本發明的目的在于提供一種圖案形成方法，其可有效地防止在晶片邊緣管芯上發生圖案崩塌的情況，進而提高產品的良率。

為達上述目的，本發明提出一種圖案形成方法，包括下列步驟。提供晶片，晶片包括多個晶片內部管芯與多個晶片邊緣管芯。在各晶片內部管芯上形成第一圖案，且在各晶片邊緣管芯上形成第二圖案，其中第一圖案的形成方法包括進行至少兩次曝光制作工藝，第二圖案的形成方法包括進行上述至少兩次曝光制作工藝中的至少一次，且形成第二圖案所進行的曝光制作工藝次數少于形成第一圖案所進行的曝光制作工藝次數。

依照本發明的一實施例所述，在上述的圖案形成方法中，上述至少兩次曝光制作工藝例如是對不同的光致抗蝕劑層進行。

依照本發明的一實施例所述，在上述的圖案形成方法中，上述至少兩次曝光制作工藝例如是對相同的光致抗蝕劑層進行。

依照本發明的一實施例所述，在上述的圖案形成方法中，第一圖案與第二圖案的形成方法還包括形成至少一光致抗蝕劑層。

依照本發明的一實施例所述，在上述的圖案形成方法中，第一圖案與第二圖案的形成方法還包括對晶片進行至少一次顯影制作工藝。

依照本發明的一實施例所述，在上述的圖案形成方法中，第一圖案與第二圖案的形成方法還包括：以通過上述至少兩次曝光制作工藝所形成的至少一層圖案化光致抗蝕劑層為掩模，對材料層進行至少一次蝕刻制作工藝。

依照本發明的一實施例所述，在上述的圖案形成方法中，第一圖案與第二圖案例如是光致抗蝕劑圖案。

依照本發明的一實施例所述，在上述的圖案形成方法中，第一圖案與第二圖案例如是實體圖案或開口圖案。

依照本發明的一實施例所述，在上述的圖案形成方法中，使形成第二圖案所進行的曝光制作工藝次數少于形成第一圖案所進行的曝光制作工藝次數的方法包括：在進行上述至少兩次曝光制作工藝中的至少一次中，使用擋板遮蔽晶片邊緣管芯。

依照本發明的一實施例所述，在上述的圖案形成方法中，第二圖案的尺寸例如是大于第一圖案的尺寸。

基于上述，在本發明所提出的圖案形成方法中，由于形成第二圖案所進行的曝光制作工藝次數少于形成第一圖案所進行的曝光制作工藝次數，可使得形成在晶片邊緣管芯上的第二圖案的穩定性高，因此可有效地防止在晶片邊緣管芯上發生圖案崩塌的情況，進而提高產品的良率。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附的附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1為本發明的一實施例的圖案形成方法的流程圖；

圖2為本發明的一實施例的晶片示意圖；

圖3A至圖3B為本發明的一實施例的圖案的制造流程上視圖；

圖4A至圖4D為本發明的一實施例的圖案的制造流程上視圖；

圖5A至圖5D為本發明的一實施例的圖案的制造流程剖視圖。

符號說明

100：晶片

102：晶片內部管芯

104：晶片邊緣管芯

106：邊緣輪廓

108：光致抗蝕劑層

110、112：曝光部分

114、116、126、128、226、228：圖案

118、218：材料層

120、124、220、224：圖案化光致抗蝕劑層

122、222：開口

300：擋板

S100、S110、S112、S114、S116：步驟標號

具體實施方式