[發明專利]一種片上變壓器有效
| 申請號: | 201410319736.5 | 申請日: | 2014-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN104103636A | 公開(公告)日: | 2014-10-15 |
| 發明(設計)人: | 任志雄;張科峰;劉覽琦;任達明 | 申請(專利權)人: | 武漢芯泰科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01F30/06 |
| 代理公司: | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人: | 廖盈春 |
| 地址: | 430073 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 變壓器 | ||
1.一種片上變壓器,包括主線圈、次線圈、主線圈接頭以及次線圈接頭,其特征在于,主線圈通過n-1條相互間隔的環形分割槽分割為n條并聯的主子線圈,次線圈同樣通過n-1條相互間隔的相同環形分割槽分割為n條并聯的次子線圈,并且第i個主子線圈寬度與第i個次子線圈寬度相同均為wi,主線圈和次線圈的總寬度相同均為W,它們之間滿足如下公式:其中n為大于等于2的正整數,s為各個環形分割槽的槽寬,各個主子線圈與其對應的各個次子線圈并聯走線。
2.如權利要求1所述的片上變壓器,其特征在于,所述主子線圈和次子線圈寬度wi從內到外依次增大。
3.如權利要求1或2任意一項所述的片上變壓器,其特征在于,所述環形分割槽的槽寬s的取值范圍為0.5μm~2μm。
4.如權利要求1-3任意一項所述的片上變壓器,其特征在于,所述片上變壓器用于高于0.5GHz的射頻工作頻段。
5.如權利要求1-4所述的片上變壓器,其特征在于,所述片上變壓器的主線圈包括單層金屬和多層金屬兩種情況。
6.如權利要求1-5所述的一種片上變壓器,其特征在于,所述片上變壓器的次線圈包括單層金屬和多層金屬兩種情況。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





