[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器(NVM)系統(tǒng)的自適應(yīng)擦除恢復(fù)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410319221.5 | 申請日: | 2014-07-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104299649B | 公開(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何晨;王艷卓;穆甫臣 | 申請(專利權(quán))人: | 恩智浦美國有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11C16/14 | 分類號(hào): | G11C16/14;G11C16/06 |
| 代理公司: | 11038 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 金曉<國際申請>=<國際公布>=<進(jìn)入國 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 非易失性存儲(chǔ)器 nvm 系統(tǒng) 自適應(yīng) 擦除 恢復(fù) | ||
1.一種非易失性存儲(chǔ)器NVM單元的自適應(yīng)擦除恢復(fù)的方法,包括:
向NVM系統(tǒng)內(nèi)的非易失性存儲(chǔ)器NVM單元施加一個(gè)或多個(gè)擦除脈沖;
基于要恢復(fù)的NVM單元的數(shù)量選擇擦除恢復(fù)操作的放電速率;
基于所選擇的放電速率調(diào)整放電電路;以及
使用所調(diào)整的放電電路對所要恢復(fù)的NVM單元執(zhí)行擦除恢復(fù)操作,
其中,所述選擇還包括訪問存儲(chǔ)與要恢復(fù)的NVM單元的數(shù)量和操作溫度關(guān)聯(lián)的放電速率和放電時(shí)間的查找表。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述執(zhí)行包括使用所調(diào)整的放電電路放電所要恢復(fù)的NVM單元的柵節(jié)點(diǎn)和體節(jié)點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中將所述柵節(jié)點(diǎn)從第一電壓電平放電至具有較小幅值的第二電壓電平,并且其中將所述體節(jié)點(diǎn)從第三電壓電平放電至具有較小幅值的第四電壓電平。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中使用單一放電速率放電所述柵節(jié)點(diǎn)和所述體節(jié)點(diǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,還包括基于要恢復(fù)的NVM單元的數(shù)量選擇最大允許的放電時(shí)間,并且其中基于所選擇的放電時(shí)間在一定時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行所述擦除恢復(fù)操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中所述選擇還包括還基于與所述NVM系統(tǒng)關(guān)聯(lián)的操作溫度選擇所述放電速率和所述放電時(shí)間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中所述選擇包括隨著要恢復(fù)的NVM單元的數(shù)量的增加選擇較小的放電速率和較長的放電時(shí)間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中要擦除一個(gè)NVM塊,并且其中向所述要擦除的NVM塊中的全部NVM單元應(yīng)用所述執(zhí)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中所述調(diào)整包括向所述放電電路施加多比特控制信號(hào)以調(diào)整所述放電速率。
10.一種非易失性存儲(chǔ)器NVM系統(tǒng),包括:
NVM系統(tǒng)內(nèi)的多個(gè)非易失性存儲(chǔ)器NVM單元;
放電電路,耦合于所述NVM單元;
擦除恢復(fù)查找表,配置為存儲(chǔ)與要恢復(fù)的NVM單元的數(shù)量關(guān)聯(lián)的放電速率;以及
控制器電路,配置為向所述NVM單元施加一個(gè)或多個(gè)擦除脈沖,基于要恢復(fù)的NVM單元的數(shù)量從所述擦除恢復(fù)查找表中選擇放電速率,基于所選擇的放電速率調(diào)整所述放電電路,以及使用所調(diào)整的放電電路對所要恢復(fù)的NVM單元執(zhí)行擦除恢復(fù)操作。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的NVM系統(tǒng),其中所述放電電路被配置為放電要恢復(fù)的NVM單元的柵節(jié)點(diǎn)和體節(jié)點(diǎn)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的NVM系統(tǒng),其中所述擦除恢復(fù)操作被配置為將所述柵節(jié)點(diǎn)從第一電壓電平放電至具有較小幅值的第二電壓電平,以及將所述體節(jié)點(diǎn)從第三電壓電平放電至具有較小幅值的第四電壓電平。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的NVM系統(tǒng),其中控制器電路被配置為選擇單一放電速率放電所述柵節(jié)點(diǎn)和所述體節(jié)點(diǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的NVM系統(tǒng),其中所述擦除恢復(fù)查找表還被配置為存儲(chǔ)與要恢復(fù)的NVM單元的數(shù)量關(guān)聯(lián)的放電時(shí)間,并且其中所述控制器電路還被配置為基于要恢復(fù)的NVM單元的數(shù)量從所述擦除恢復(fù)查找表中選擇放電時(shí)間以及基于所選擇的放電時(shí)間在一定時(shí)間段內(nèi)執(zhí)行所述擦除恢復(fù)操作。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的NVM系統(tǒng),其中所述擦除恢復(fù)查找表內(nèi)的所述放電速率和所述放電時(shí)間還與操作溫度關(guān)聯(lián),并且其中所述控制器電路還被配置為還基于與所述NVM系統(tǒng)關(guān)聯(lián)的操作溫度選擇所述放電速率和所述放電時(shí)間。
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