[發明專利]一種液晶盒晶體管電性測試方法

有效

• 申請號: 201410318631.8
• 申請日: 2014-07-04
• 公開（公告）號: CN104090393B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 付延峰
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司11372
• 代理人: 朱繪,張文娟

技術領域

本發明涉及液晶顯示面板檢測技術，尤其是關于一種液晶盒晶體管電性測試方法。

背景技術

隨著顯示器技術的不斷發展，液晶顯示面板以其卓越的性能已經成為當前市場的主流產品。一個液晶顯示面板通常由晶體管陣列基板、彩色濾光基板和液晶層組成。其中，晶體管陣列基板上以陣列的形式排布有多個像素單元，每一個像素單元包括至少一個晶體管，以及與晶體管對應配置的像素電極。圖1和圖2是目前常見的兩種像素單元結構的等效電路圖。其中，圖1顯示的像素單元的晶體管TFT作為啟動像素單元工作的開關元件，其柵極和源極分別與掃描線Scan Line和數據線Data Line對應連接，其漏極與像素電極連接。像素電極一方面與陣列基板上對應的公共電極線Array Com耦合形成存儲電容C_S，另一方面與彩色濾光基板上對應的公共電極線CF Com耦合形成液晶電容C_LC。這種像素結構也稱Cs on common。與圖1不同的是，圖2顯示的像素單元的像素電極與下一行像素單元所連接的柵極線耦合形成存儲電容C_S。這種像素結構也稱Cs on gate。

一般而言，生產廠商在制作完成陣列基板后，會隨機抽選幾個像素單元的晶體管，測試晶體管的開關電流、閾值電壓等工作特性，判斷晶體管能否正常工作。具體的測試方法是：利用測試設備的探針分別向與待測像素單元連接的掃描線和數據線輸入測試信號，同時將另一探針與待測像素單元的像素電極連接，由于像素電極與晶體管的漏極連接，因此可以通過從像素電極處獲得的信號分析晶體管的工作特性，判斷晶體管能否正常工作。

然而隨著晶體管技術的不斷發展，行業內出現了一種H_ADS(High aperture ADS，高開口率高級超維場轉換技術)模式的液晶顯示面板。如圖3所示，在這種液晶顯示面板的陣列基板上，像素電極位于中間層(位于柵極絕緣層3和鈍化層7之間)，晶體管的漏極也位于中間層(位于有源層4和鈍化層7之間)，因此測試設備的探針無法與待測像素單元的像素電極以及待測像素單元的晶體管的漏極連接。也就無法通過上述傳統的測試方法對晶體管進行檢測。

此外，由于液晶顯示面板是由晶體管陣列基板與彩色濾光基板對盒組裝，然后灌注液晶材料制作而成(也稱液晶盒)，晶體管在液晶盒內工作的情況才真實完整地反映成品的性能，因此對液晶盒內晶體管進行檢測往往也是需求之一。

為此，本發明的發明人基于從事液晶顯示面板設計制造的實務經驗和相關的專業知識，提出一種更加簡單合理的測試方法，能夠在不破壞液晶盒的情況下對液晶盒內的晶體管進行檢測。

發明內容

針對上述問題，本發明提出了一種簡單合理的液晶盒晶體管電性測試方法。

一種液晶盒晶體管電性測試方法，包括以下步驟：

將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的源極對應連接的數據線的一端作為源極測試端；

將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的柵極對應連接的掃描線的一端作為柵極測試端；

將陣列基板上作為待測晶體管存儲電容一側電極的像素電極與作為待測晶體管存儲電容另一側電極的電極線的重疊區域短接，并將所述電極線的一端作為漏極測試端；

通過源極測試端、柵極測試端和漏極測試端檢測待測晶體管。

根據本發明的實施例一，上述待測晶體管存儲電容由像素電極配置在公共電極線上形成，所述電極線為相應的公共電極線。

根據本發明的實施例二，上述待測晶體管存儲電容由像素電極配置在柵極線上形成，所述電極線為相應的柵極線。

根據本發明的實施例，在所述陣列基板上，像素電極位于柵極絕緣層和鈍化層之間。

根據本發明的實施例，在所述陣列基板上，像素電極位于鈍化層之上。

根據本發明的實施例，在所述陣列基板上，晶體管的漏極位于有源層和鈍化層之間。

根據本發明的實施例，可以利用激光照射使所述像素電極與電極線熔融短接。

根據本發明的實施例，上述激光的鐳射功率大于5mj/pulse。

根據本發明的實施例，在上述陣列基板上，從晶體管側進行激光鐳射操作。

此外，檢測后將所述待測晶體管所在的像素單元暗化。

與現有技術相比，本發明提出的晶體管測試方法，通過將陣列基板上待測像素單元的像素電極與其對應的公共電極短接，能夠直接對封裝好的液晶盒中的晶體管進行檢測。