[發明專利]一種液晶盒晶體管電性測試方法

有效

• 申請號: 201410318631.8
• 申請日: 2014-07-04
• 公開（公告）號: CN104090393B
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發明（設計）人: 付延峰
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司11372
• 代理人: 朱繪,張文娟

1.一種液晶盒晶體管電性測試方法，包括以下步驟：

將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的源極對應連接的數據線的一端作為源極測試端；

將液晶盒陣列基板上與待測晶體管的柵極對應連接的掃描線的一端作為柵極測試端；

在陣列基板上，從晶體管側通過激光照射將陣列基板上作為待測晶體管存儲電容一側電極的像素電極與作為待測晶體管存儲電容另一側電極的掃描線的重疊區域短接，并將所述作為待測晶體管存儲電容另一側電極的掃描線的一端作為漏極測試端；其中，所述作為待測晶體管存儲電容另一側電極的掃描線是所述待測晶體管所在像素單元的下一行像素單元所連接的掃描線；

通過源極測試端、柵極測試端和漏極測試端檢測待測晶體管。

2.如權利要求1所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于：

在所述陣列基板上，像素電極位于柵極絕緣層和鈍化層之間。

3.如權利要求1所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于：

在所述陣列基板上，像素電極位于鈍化層之上。

4.如權利要求1所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于：

在所述陣列基板上，晶體管的漏極位于有源層和鈍化層之間。

5.如權利要求1所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于：

所述激光的鐳射功率大于5mj/pulse。

6.如權利要求1所述的液晶盒晶體管電性測試方法，其特征在于，還包括：

檢測后將所述待測晶體管所在的像素單元暗化。