[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號: | 201410317484.2 | 申請日: | 2014-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN104282669B | 公開(公告)日: | 2018-11-20 |
| 發明(設計)人: | 山下賢哉 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L25/07 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 薛凱 |
| 地址: | 日本國*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置,具備:
半導體模塊,其包含與第1柵極端子以及第1源極端子相連接的高側的半導體元件、以及與第2柵極端子以及第2源極端子相連接的低側的半導體元件;
第1控制基板,其配置在所述半導體模塊上;
保持于所述第1控制基板,并與所述第1柵極端子以及所述第1源極端子相連接的第1驅動元件、以及與所述第2柵極端子以及所述第2源極端子相連接的第2驅動元件;
第2控制基板,其配置在所述第1控制基板上,并通過導線與所述第1控制基板電連接;和
多個光耦合器,其保持于所述第2控制基板,并將其輸出信號分別向所述第1驅動元件或所述第2驅動元件輸入,
所述半導體模塊具有在該半導體模塊的一邊設置的正極端子以及接地端子、和在與該一邊相對置的另一邊設置的輸出端子,
所述第1柵極端子以及所述第1源極端子設置于配置有所述半導體模塊的所述正極端子以及所述接地端子的一側,
所述第2柵極端子以及所述第2源極端子設置于配置有所述半導體模塊的所述輸出端子的一側。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置,其中,
從保持所述高側的半導體元件的第1模墊引出正極端子,
從保持所述低側的半導體元件的第2模墊引出輸出端子,
所述低側的半導體元件與接地端子電連接。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置,其中,
所述第1控制基板劃分成包含高側的第1電路區域以及低側的第2電路區域的多個電路區域,
在所述電路區域彼此之間形成了絕緣區域。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置,其中,
連接所述第2控制基板的信號輸入部與所述光耦合器的多個信號線,配置在所述第1控制基板的低側的所述第2電路區域上。
5.根據權利要求3所述的半導體裝置,其中,
連接所述第1控制基板的低側的控制信號線與所述第2控制基板的控制信號線的連接部,設置在所述第1控制基板的所述第1電路區域與所述第2電路區域之間的附近。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置,其中,
所述連接部在所述第1控制基板的所述第1電路區域與所述第2電路區域之間的附近,按照在俯視下排列成直線狀的方式設置有多個。
7.根據權利要求1、2、4~6中任意一項所述的半導體裝置,其中,
所述第2控制基板在以俯視觀察的情況下,面積比所述第1控制基板小。
8.根據權利要求1、2、4~6中任意一項所述的半導體裝置,其中,
連接所述第1控制基板與所述第2控制基板的導線的長度為20mm以下。
9.根據權利要求1、2、4~6中任意一項所述的半導體裝置,其中,
所述高側的半導體元件以及所述低側的半導體元件是由寬帶隙材料構成的器件。
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