[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410315669.X | 申請日: | 2014-07-03 |
| 公開(公告)號: | CN104425525A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 簡瑋銘;林佳升;劉滄宇;何彥仕 | 申請(專利權(quán))人: | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 中國臺灣桃園縣中*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu) 及其 制造 方法 | ||
一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包含下列步驟:提供晶圓結(jié)構(gòu),晶圓結(jié)構(gòu)具有晶圓及覆蓋晶圓的保護(hù)層。于晶圓相對保護(hù)層的表面上形成圖案化的光阻層。蝕刻晶圓,使晶圓形成多個通道,且保護(hù)層由通道露出。蝕刻保護(hù)層,使保護(hù)層形成對準(zhǔn)通道的多個開口,保護(hù)層中的多個焊墊分別露出于開口及通道,且每一開口的口徑朝對應(yīng)的通道的方向逐漸增大。蝕刻晶圓環(huán)繞通道的多個側(cè)表面,使通道擴(kuò)大而分別形成多個鏤空區(qū),每一鏤空區(qū)的口徑朝對應(yīng)的開口的方向逐漸減小,且每一開口的口徑小于對應(yīng)的鏤空區(qū)的口徑。如此,不僅可避免導(dǎo)電層在晶圓的表面與晶圓的側(cè)壁的鄰接處發(fā)生斷裂,還可避免導(dǎo)電層在保護(hù)層的側(cè)壁與焊墊的鄰接處發(fā)生斷裂。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包含晶片(chip)、焊墊、介電層(例如二氧化硅)與布線層(Redistribution Layer;RDL)。一般而言,在制作半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)時,會先于尚未切割成晶片的晶圓(wafer)上覆蓋介電層,以保護(hù)晶圓上的電子元件。其中電子元件可以為感光元件。
接著,可于晶圓背對介電層的表面形成圖案化的光阻層,使在介電層中的焊墊正上方的晶圓表面不被光阻覆蓋。如此一來,便可利用蝕刻制程將焊墊正上方的晶圓與介電層一并去除,使晶圓與介電層形成垂直方向的通道。焊墊便可通過此通道露出。之后,布線層可形成于晶圓與介電層環(huán)繞通道的側(cè)壁上及焊墊上,使布線層能與焊墊電性接觸。
然而,由于晶圓背對介電層的表面大致垂直晶圓環(huán)繞通道的側(cè)壁,且介電層環(huán)繞通道的側(cè)壁也大致垂直焊墊,因此布線層在晶圓背對介電層的表面與晶圓環(huán)繞通道的側(cè)壁的鄰接處容易斷裂,且布線層在介電層環(huán)繞通道的側(cè)壁與焊墊的鄰接處也容易斷裂。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式,一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含晶片、保護(hù)層、焊墊、絕緣層及導(dǎo)電層。晶片具有感光元件及鏤空區(qū)。保護(hù)層位于晶片的表面上,且覆蓋感光元件。保護(hù)層具有開口,對準(zhǔn)且連通于鏤空區(qū)。開口的口徑小于鏤空區(qū)的口徑。開口的口徑朝鏤空區(qū)的方向逐漸增大,且鏤空區(qū)的口徑朝開口的方向逐漸減小,使保護(hù)層環(huán)繞開口的第一側(cè)壁及晶片環(huán)繞鏤空區(qū)的第二側(cè)壁均為斜面。焊墊位于保護(hù)層中,且露出于開口。絕緣層位于第一側(cè)壁上、第二側(cè)壁上、及鄰接第一側(cè)壁與第二側(cè)壁間的保護(hù)層的表面上。導(dǎo)電層位于絕緣層上,且覆蓋焊墊,使導(dǎo)電層電性接觸焊墊。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述第一側(cè)壁與焊墊間的夾角及第二側(cè)壁與保護(hù)層間的夾角均為銳角。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包含阻隔層。阻隔層覆蓋于導(dǎo)電層上。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包含透光元件及支撐層。支撐層位于透光元件與保護(hù)層之間,使透光元件、支撐層及保護(hù)層間形成一空間。
在本發(fā)明一實(shí)施方式中,上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包含彩色濾光片。彩色濾光片設(shè)置于保護(hù)層背對晶片的表面上,且位于空間中。彩色濾光片對準(zhǔn)于感光元件。
本發(fā)明的另一技術(shù)態(tài)樣為一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式,一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包含下列步驟:a、提供晶圓結(jié)構(gòu),其中晶圓結(jié)構(gòu)具有晶圓及覆蓋晶圓的保護(hù)層。b、于晶圓相對保護(hù)層的表面上形成圖案化的光阻層。c、蝕刻晶圓,使晶圓形成多個通道,且保護(hù)層由通道露出。d、蝕刻保護(hù)層,使保護(hù)層形成對準(zhǔn)通道的多個開口。保護(hù)層中的多個焊墊分別露出于開口及通道,且每一開口的口徑朝對應(yīng)的通道的方向逐漸增大。e、蝕刻晶圓環(huán)繞通道的多個側(cè)表面,使通道擴(kuò)大而分別形成多個鏤空區(qū)。每一鏤空區(qū)的口徑朝對應(yīng)的開口的方向逐漸減小,且每一開口的口徑小于對應(yīng)的鏤空區(qū)的口徑。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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