[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201410315669.X
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN104425525A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 簡瑋銘;林佳升;劉滄宇;何彥仕
• 申請（專利權）人: 精材科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種半導體結構，其特征在于，包含：

一晶片，具有一感光元件及一鏤空區；

一保護層，位于該晶片的表面上，且覆蓋該感光元件，其中該保護層具有一開口，對準且連通于該鏤空區；該開口的口徑小于該鏤空區的口徑；該開口的口徑朝該鏤空區的方向逐漸增大，且該鏤空區的口徑朝該開口的方向逐漸減小，使該保護層環繞該開口的一第一側壁及該晶片環繞該鏤空區的一第二側壁均為斜面；

一焊墊，位于該保護層中，且露出于該開口，該焊墊具有位于該開口中且朝向該開口的一頂面；

一絕緣層，位于該第一側壁上、該第二側壁上、及鄰接該第一側壁與該第二側壁間的該保護層的表面上，且該焊墊具有背對該頂面的一底面，且該焊墊的該底面完全由該保護層覆蓋；以及

一導電層，位于該絕緣層上，且覆蓋該焊墊的該頂面，使該導電層電性接觸該焊墊，其中該焊墊的該頂面位于該導電層與該保護層之間，且在該開口中的該絕緣層位于該導電層與該保護層之間。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，該第一側壁與該焊墊間的夾角及該第二側壁與該保護層間的夾角均為銳角。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包含：

一阻隔層，覆蓋于該導電層上。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，還包含：

一透光元件；以及

一支撐層，位于該透光元件與該保護層之間，使該透光元件、該支撐層及該保護層間形成一空間。

5.根據權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，還包含：

一彩色濾光片，設置于該保護層背對該晶片的表面上，且位于該空間中，其中該彩色濾光片對準于該感光元件。

6.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包含下列步驟：

a、提供一晶圓結構，其中該晶圓結構具有一晶圓及覆蓋該晶圓的一保護層；

b、于該晶圓相對該保護層的表面上形成圖案化的一光阻層；

c、蝕刻該晶圓，使該晶圓形成多個通道，且該保護層由所述通道露出；

d、蝕刻該保護層，使該保護層形成對準所述通道的多個開口，其中該保護層中的多個焊墊分別露出于所述開口及所述通道，所述焊墊具有位于所述開口中且朝向所述開口的多個頂面，且每一該開口的口徑朝對應的該通道的方向逐漸增大，所述焊墊具有背對所述頂面的多個底面，且所述焊墊的所述底面完全由該保護層覆蓋；

e、蝕刻該晶圓環繞所述通道的多個側表面，使所述通道擴大而分別形成多個鏤空區，其中每一該鏤空區的口徑朝對應的該開口的方向逐漸減小，且每一該開口的口徑小于對應的該鏤空區的口徑；

f、于該保護層環繞所述開口的多個第一側壁上、該晶圓環繞所述鏤空區的多個第二側壁上、所述焊墊上、及鄰接所述第一側壁與所述第二側壁間的該保護層的表面上形成一絕緣層；

g、圖案化該絕緣層，使位于所述焊墊上的該絕緣層被去除；以及

h、于該絕緣層及所述焊墊上形成一導電層，使該導電層覆蓋且電性接觸所述焊墊的所述頂面，其中所述焊墊的所述頂面位于該導電層與該保護層之間，且在所述開口中的該絕緣層位于該導電層與該保護層之間。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，還包含：

于該導電層上形成一阻隔層，且該阻隔層覆蓋該導電層。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的制造方法，其特征在于，該晶圓結構具有一透光元件及位于該透光元件與該保護層之間的一支撐層，該半導體結構的制造方法還包含：

切割該阻隔層、該晶圓、該保護層、該支撐層及該透光元件。