[發明專利]基板結構

有效

• 申請號: 201410315562.5
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN105224120B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: 許毅中;徐國書;李鼎祥;曾國瑋;高常清
• 申請（專利權）人: 宸鴻科技（廈門）有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基板結構，其特征在于，包含：

一基板；

一導電圖案，位于該基板上；

一第一層迭結構，位于該導電圖案與該基板上，其中該第一層迭結構包含一第一上薄膜、一第二上薄膜和一第三上薄膜，該第一上薄膜鄰接該導電圖案與該基板，該第一上薄膜、該第二上薄膜和該第三上薄膜依序堆棧；以及

一鈍化層，位于該第一層迭結構上，該第三上薄膜鄰接該鈍化層，其中該導電圖案、該第一上薄膜、該第二上薄膜、該第三上薄膜和該鈍化層之折射率依序遞減；

更包含一第二層迭結構，該第二層迭結構位于該導電圖案與該基板之間，其中該第二層迭結構包含一第一下薄膜、一第二下薄膜和一第三下薄膜，該第一下薄膜、該第二下薄膜和該第三下薄膜依序堆棧，其中該第一下薄膜鄰接該基板，該第三下薄膜鄰接該導電圖案，該基板、該第一下薄膜、該第二下薄膜、該第三下薄膜和該導電圖案之折射率依序遞增。

2.根據權利要求1所述的基板結構，其特征在于，其中該第一層迭結構還包含設置于該第三上薄膜上之一第四上薄膜和一第五上薄膜，該導電圖案、該第一上薄膜、該第二上薄膜、該第三上薄膜、該第四上薄膜、該第五上薄膜和該鈍化層之折射率依序遞減。

3.根據權利要求1所述的基板結構，其特征在于，其中該第一上薄膜、該第二上薄膜以及該第三上薄膜分別包含一第一元素與一第二元素， 該第一上薄膜、該第二上薄膜和該第三上薄膜分別具有一重量比值，該重量比值為該第一元素的重量比該第二元素的重量，該第一上薄膜、該第二上薄膜和該第三上薄膜的該重量比值均不相同。

4.根據權利要求3所述的基板結構，其特征在于，其中該第一元素為氮，該第二元素為氧。

5.根據權利要求4所述的基板結構，其特征在于，其中該第一上薄膜、該第二上薄膜和該第三上薄膜之該些重量比值依序遞減。

6.根據權利要求1所述的基板結構，其特征在于，其中該第一層迭結構部份接觸該基板。

7.根據權利要求1所述的基板結構，其特征在于，其中該第一下薄膜、該第二下薄膜和該第三下薄膜包含一第一元素與一第二元素，該第一下薄膜、該第二下薄膜和該第三下薄膜分別具有一重量比值，該重量比值為之該第一元素的重量比該第二元素的重量，該第一下薄膜、該第二下薄膜和該第三下薄膜的該重量比值均不相同。

8.根據權利要求1所述的基板結構，其特征在于，其中該第一層迭結構為一透明絕緣層。

9.根據權利要求1所述的基板結構，其特征在于，其中該第一層迭結構之厚度范圍為30納米(nm)至150納米(nm)。

10.一種基板結構之制作方法，其特征在于，包含：

將具有一導電圖案之一基板置入一濺鍍機臺之一反應腔，其中，該導電圖案與該基板之間包含一第二層迭結構，其中該第二層迭結構包含一第一下薄膜、一第二下薄膜和一第三下薄膜，該第一下薄膜、該第 二下薄膜和該第三下薄膜依序堆棧，其中該第一下薄膜鄰接該基板，該第三下薄膜鄰接該導電圖案，該基板、該第一下薄膜、該第二下薄膜、該第三下薄膜和該導電圖案之折射率依序遞增；

注入一反應氣體于該反應腔，該反應氣體包含一第一氣體或一第二氣體，該反應氣體具有該第一氣體比該第二氣體之一氣體比例；

使用一靶材進行濺鍍，并控制該氣體比例或該濺鍍機之一濺射功率，以形成一第一層迭結構于該導電圖案之上，該第一層迭結構包含一第一上薄膜、一第二上薄膜和一第三上薄膜，且該第一上薄膜、該第二上薄膜和該第三上薄膜之折射率由接近該基板的一端向遠離該基板的一端依序遞減。

11.根據權利要求10所述的基板結構之制作方法，其特征在于，更包含形成一鈍化層于該第三上薄膜之上，其中該導電圖案、該第一上薄膜、該第二上薄膜、該第三上薄膜和該鈍化層之折射率依序遞減。