[發(fā)明專利]多晶硅顯示基板及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410315434.0
• 申請(qǐng)日: 2014-07-03
• 公開（公告）號(hào): CN105336742A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宇新;譚莉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種多晶硅顯示基板以及一種制造多晶硅顯示基板的方法。

背景技術(shù)

低溫多晶硅(LowtemperaturePolycrystallineSilicon,LTPS)是一種新的顯示器制造技術(shù)，相較于傳統(tǒng)非晶硅液晶顯示器，低溫多晶硅晶體管的載子遷移率是非晶硅晶體管的載子遷移率的一百倍，因此使用低溫多晶硅所制成的顯示器的反應(yīng)速度極佳。另一方面，在制造低溫多晶硅面板時(shí)，能夠同時(shí)制造面板的驅(qū)動(dòng)電路，所以低溫多晶硅顯示器不須要額外設(shè)置驅(qū)動(dòng)芯片。因此，低溫多晶硅顯示器不但具有極佳的元件反應(yīng)速度，也同時(shí)具備制造成本的優(yōu)勢(shì)。一般而言，低溫多晶硅利用準(zhǔn)分子激光作為熱源，利用激光光束照射非結(jié)晶的硅層，而將非晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч瑁麄€(gè)處理過程可以在低于600℃的溫度下完成。不過，相較于非晶硅液晶顯示器，低溫多晶硅顯示器的制造工藝復(fù)雜，需要較多的微影蝕刻步驟，這導(dǎo)致較高的制造成本。因此，目前亟需一種改良的制造方法，以能減少制造低溫多晶硅顯示器所須的微影蝕刻步驟。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一方面是提供一種多晶硅顯示基板的制造方法，此多晶硅顯示基板可作為低溫多晶硅顯示器的主動(dòng)陣列基板。本發(fā)明揭露的制造方法能夠減少制造低溫多晶硅基板所須的微影蝕刻制程的次數(shù)。

上述多晶硅顯示基板的制造方法，包含以下步驟：提供一基材，該基材包含至少一像素區(qū)以及一驅(qū)動(dòng)電路區(qū)，該像素區(qū)具有一主動(dòng)元件區(qū)以及一電容區(qū)；形成一多晶硅層于該基材上，該多晶硅層包含一第一多晶硅層位于該主動(dòng)元件區(qū)上；形成一絕緣層覆蓋該多晶硅層；形成一第一導(dǎo)電層于該絕緣層上，該第一導(dǎo)電層包含一第一柵極位于該主動(dòng)元件區(qū)以及一下電極位于該電容區(qū)；對(duì)該多晶硅層進(jìn)行一離子摻雜步驟，以在該第一多晶硅層中形成一第一重?fù)诫s區(qū)以及一第二重?fù)诫s區(qū)；形成一介電層覆蓋該第一導(dǎo)電層；圖案化該介電層及該絕緣層，以暴露出該第一重?fù)诫s區(qū)的一部分及該第二重?fù)诫s區(qū)的一部分；形成一第二導(dǎo)電層于該介電層上，該第二導(dǎo)電層包含一第一源極電極、一第一漏極電極以及一上電極，該第一源極電極及該第一漏極電極分別連接該第一重?fù)诫s區(qū)與該第二重?fù)诫s區(qū)，該上電極位于該電容區(qū)，且該上電極與該下電極形成一儲(chǔ)存電容；形成一保護(hù)層于該第二導(dǎo)電層上，該保護(hù)層具有一開口露出該第一漏極電極，以及形成一像素電極于該保護(hù)層上，其中該像素電極經(jīng)由該開口連接該第一漏極電極。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，形成該第二導(dǎo)電層的步驟包含沉積一材料層，以及在同一蝕刻步驟中蝕刻該材料層，而形成該第一源極電極、該第一漏極電極以及該上電極。

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，其中形成該多晶硅層的步驟包含形成一第二多晶硅層及一第三多晶硅層于該驅(qū)動(dòng)電路區(qū)上；其中形成該第一導(dǎo)電層的步驟還包含形成一第二柵極及一第三柵極于該驅(qū)動(dòng)電路區(qū)；其中對(duì)該多晶硅層進(jìn)行該離子摻雜的步驟還包含形成一第一N型重?fù)诫s區(qū)及一第二N型重?fù)诫s區(qū)于該第二多晶硅層中，以及形成一第一P型重?fù)诫s區(qū)及一第二P型重?fù)诫s區(qū)于該第三多晶硅層中；其中圖案化該介電層及該絕緣層的步驟還包含暴露出該第一N型重?fù)诫s區(qū)的一部分、該第二N型重?fù)诫s區(qū)的一部分、該第一P型重?fù)诫s區(qū)的一部分、該第二P型重?fù)诫s區(qū)的一部分、該第二柵極的一部分及該第三柵極的一部分；其中形成該第二導(dǎo)電層于該介電層上的步驟還包含：形成一第二源極電極以及一第二漏極電極分別連接該第一N型重?fù)诫s區(qū)及該第二N型重?fù)诫s區(qū)；形成一第三源極電極及一第三漏極電極分別連接該第一P型重?fù)诫s區(qū)以及該第二P型重?fù)诫s區(qū)；以及形成一第一控制信號(hào)線以及一第二控制信號(hào)線分別連接該第二柵極與該第三柵極。

本發(fā)明的另一方面是提供一種多晶硅顯示基板。此多晶硅顯示基板包含一基材、一第一多晶硅層、一第一絕緣層、一第一導(dǎo)電層、一第一介電層、一第二導(dǎo)電層以及一像素電極。基材包含至少一像素區(qū)以及一驅(qū)動(dòng)電路區(qū)，該像素區(qū)具有一主動(dòng)元件區(qū)以及一電容區(qū)。第一多晶硅層位于該基材的該主動(dòng)元件區(qū)上，且包含一源極區(qū)、一漏極區(qū)以及一通道區(qū)，該通道區(qū)位于該源極區(qū)與該漏極區(qū)之間。第一絕緣層覆蓋一部分的該第一多晶硅層，并露出該第一多晶硅層的該源極區(qū)和該漏極區(qū)。第一導(dǎo)電層配置在該第一絕緣層上，且包含一第一柵極以及一下電極，該第一柵極位于該主動(dòng)元件區(qū)，該下電極位于該電容區(qū)。第一介電層覆蓋該第一柵極以及該下電極，并露出該第一多晶硅層的該源極區(qū)和該漏極區(qū)。第二導(dǎo)電層設(shè)置在該第一介電層的一上表面，且該第二導(dǎo)電層包含一第一源極電極、一第一漏極電極及一上電極，該第一源極電極和該第一漏極電極分別連接該第一多晶硅層的該源極區(qū)和該漏極區(qū)，該上電極位于該電容區(qū)，且該上電極與該下電極形成一儲(chǔ)存電容。像素電極電性連接該第一漏極電極。