[發明專利]多晶硅顯示基板及其制造方法

在審

• 申請號: 201410315434.0
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN105336742A
• 公開（公告）日: 2016-02-17
• 發明（設計）人: 陳宇新;譚莉
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種多晶硅顯示基板，其特征在于，包含：

一基材，包含至少一像素區以及一驅動電路區，該像素區具有一主動元件區以及一電容區：

一第一多晶硅層，位于該基材的該主動元件區上，且包含一源極區、一漏極區以及一通道區，該通道區位于該源極區與該漏極區之間；

一第一絕緣層，覆蓋一部分的該第一多晶硅層，并露出該第一多晶硅層的該源極區和該漏極區；

一第一導電層，配置在該第一絕緣層上，且包含一第一柵極以及一下電極，該第一柵極位于該主動元件區，該下電極位于該電容區；

一第一介電層，覆蓋該第一柵極以及該下電極，并露出該第一多晶硅層的該源極區和該漏極區；

一第二導電層，設置在該第一介電層的一上表面，且包含一第一源極電極、一第一漏極電極及一上電極，該第一源極電極和該第一漏極電極分別連接該第一多晶硅層的該源極區和該漏極區，該上電極位于該電容區，且該上電極與該下電極形成一儲存電容；以及

一像素電極，電性連接該第一漏極電極。

2.根據權利要求1所述的多晶硅顯示基板，其特征在于，該第一源極電極、該第一漏極電極及該上電極是由同一材料層經同一微影蝕刻制程而形成。

3.根據權利要求1所述的多晶硅顯示基板，其特征在于，還包含一互補式薄膜晶體管設置于該基材的該驅動電路區，該互補式薄膜晶體管包含一N型薄膜晶體管以及一P型薄膜晶體管，其中：

該N型薄膜晶體管包含：

一第二多晶硅層，位于該基材上，該第二多晶硅層包含一第一N型重摻雜區及一第二N型重摻雜區；

一第二絕緣層，由該第一絕緣層延伸出，并覆蓋一部分的該第二多晶硅層，且該第二絕緣層與該第一絕緣層為相同材料所構成；

一第二柵極，位于該第二絕緣層上，且該第二柵極及該第一柵極位于同一平面上；

一第二介電層，由該第一介電層延伸出，并覆蓋該第二柵極的一部分；以及

一第二源極電極及一第二漏極電極，位于該第二介電層上，且分別連接該第一N型重摻雜區及該第二N型重摻雜區；以及

該P型薄膜晶體管包含：

一第三多晶硅層，位于該基材上，該第三多晶硅層包含一第一P型重摻雜區及一第二P型重摻雜區；

一第三絕緣層，由該第二絕緣層延伸出，并覆蓋一部分的該第三多晶硅層，且該第三絕緣層與該第二絕緣層為相同材料所構成；

一第三柵極，位于該第三絕緣層上，且該第三柵極及該第二柵極位于同一平面上；

一第三介電層，由該第二介電層延伸出，并覆蓋該第三柵極一部分；以及

一第三源極電極及一第三漏極電極，位于該第三介電層上，且分別連接該第一P型重摻雜區及該第二P型重摻雜區，其中該第三漏極電極實體連接該第二漏極電極，且該第二源極電極、該第二漏極電極、該第三源極電極、第三漏極電極及該上電極為相同的材料所構成。

4.根據權利要求3所述的多晶硅顯示基板，還包含一第一控制信號線以及一第二控制信號線，分別連接該第二柵極與該第三柵極，且該第一控制信號線、該第二控制信號線及該上電極位于該基材上的同一高度。

5.根據權利要求1所述的多晶硅顯示基板，其特征在于，該第二源極電極、該第二漏極電極、該第三源極電極、第三漏極電極及該上電極由同一材料層經同一微影蝕刻制程而形成。

6.根據權利要求1所述的多晶硅顯示基板，其特征在于，該第一柵極和該下電極設置在該基材上的同一高度，且該第一柵極和該下電極是由同一材料層經同一微影蝕刻制程而形成。

7.根據權利要求1所述的多晶硅顯示基板，其特征在于，該基材包含一基板以及一緩沖層，該緩沖層毯覆式的形成在該基板的一上表面，且該第一多晶硅層設置在該緩沖層上。