[發(fā)明專利]一種多級孔低硅沸石的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410313963.7
• 申請日: 2014-07-03
• 公開（公告）號: CN104071802A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設計）人: 馬靜紅;苗海霞;馬麗;馮春峰;李瑞豐
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: C01B39/14
• 分類號: C01B39/14
• 代理公司: 太原華弈知識產(chǎn)權代理事務所 14108
• 代理人: 李毅

1.一種多級孔低硅沸石的制備方法，是以表面硅烷化的純硅MCM-41作為硅源，在水熱晶化體系中一步合成多級孔低硅A型沸石，其具體方法為：

1)?將有機硅烷偶聯(lián)劑溶于含醇50～90wt%的醇水溶液中，按照有機硅烷偶聯(lián)劑與純硅MCM-41的摩爾比為1～30∶100加入純硅MCM-41，20～100℃下回流0.5～10h，得到表面硅烷化的純硅MCM-41粉末；

2)?按照SiO₂∶Al₂O₃∶Na₂O∶H₂O=2∶1∶3～5∶150～190的摩爾比，將表面硅烷化的純硅MCM-41粉末、氫氧化鈉、偏鋁酸鈉和去離子水在室溫下混合，劇烈攪拌2～4h，移入不銹鋼反應釜中，80～100℃下晶化15～25h，晶化產(chǎn)物于500～550℃空氣氣氛下焙燒5～6h，制得多級孔A型沸石。

2.一種多級孔低硅沸石的制備方法，是以表面硅烷化的純硅MCM-41作為硅源，在水熱晶化體系中一步合成多級孔低硅X型沸石，其具體方法為：

1)?將有機硅烷偶聯(lián)劑溶于含醇50～90wt%的醇水溶液中，按照有機硅烷偶聯(lián)劑與純硅MCM-41的摩爾比為1～30∶100加入純硅MCM-41，20～100℃下回流0.5～10h，得到表面硅烷化的純硅MCM-41粉末；

2)?按照SiO₂∶Al₂O₃∶Na₂O∶H₂O=4∶1∶3～5∶150～190的摩爾比，將二氧化硅、偏鋁酸鈉、氫氧化鈉和去離子水混合均勻，25～30℃老化20～24h，得到X型沸石導向劑；按照SiO₂∶Al₂O₃∶Na₂O∶H₂O=4∶1∶3～5∶150～190的摩爾比，將表面硅烷化的純硅MCM-41粉末、氫氧化鈉和去離子水在室溫下攪拌0.5～1h混合均勻，再加入偏鋁酸鈉，或者將偏鋁酸鈉、氫氧化鈉和去離子水在室溫下攪拌0.5～1h混合均勻，再加入表面硅烷化的純硅MCM-41粉末；攪拌2～4h后，按照3～5%的體積比加入所述X型沸石導向劑，20～25℃恒溫攪拌20～24h，移入不銹鋼反應釜中，50～75℃下晶化5～7d，晶化產(chǎn)物于500～550℃空氣氣氛下焙燒5～6h，制得多級孔X型沸石。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的多級孔低硅沸石的制備方法，其特征是所述有機硅烷偶聯(lián)劑為具有通式結構Y-CH₂CH₂CH₂SiR_aX_3-a的有機硅烷偶聯(lián)劑，其中，Y是含有氨基的有機基團或有機胺鹽，R是烴基，a=0～1，X是可以水解生成硅羥基的甲氧基或乙氧基。

4.根據(jù)權利要求1或2所述的多級孔低硅沸石的制備方法，其特征是所述醇水溶液是甲醇或乙醇的水溶液。

5.根據(jù)權利要求1或2所述的多級孔低硅沸石的制備方法，其特征是所使用純硅MCM-41的孔徑為2～10nm、BET表面積大于800m²/g。

6.以權利要求1制備方法制備得到的多級孔低硅A型沸石，所述沸石為晶粒內(nèi)包含有孔徑為2.5～6nm及40～100nm的二次孔，直徑為1.0～1.2μm的球狀沸石。

7.以權利要求2制備方法制備得到的多級孔低硅X型沸石，所述沸石是由納米片狀晶粒形成的直徑為0.9～1.3μm的聚集體，且在納米沸石晶粒內(nèi)均勻分布有3～7nm的中孔。