[發(fā)明專利]Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410312165.2
• 申請日: 2014-07-02
• 公開（公告）號: CN104087976A
• 公開（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 崔春翔;楊薇;劉巧稚;曹斌
• 申請（專利權(quán)）人: 河北工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: C25C5/02
• 分類號: C25C5/02;C25D3/56;C25D5/50;B82Y40/00
• 代理公司: 天津翰林知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 12210
• 代理人: 胡安朋

1.Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列的制備方法，其特征在于步驟如下：

第一步，安裝專用的Sm-Co合金非晶磁性納米線沉積裝置：

該裝置由石墨C電極、電解沉積槽、墊圈、?AAO模板、Cu電極、直流穩(wěn)壓電源和磁力攪拌器構(gòu)成，上述部件的連接方式是：石墨C電極與直流穩(wěn)壓電源的正極相連，墊圈保證Cu電極與AAO模板緊密相接并與直流穩(wěn)壓電源的負(fù)極相連，磁力攪拌器安置在電解沉積槽底部，由此安裝成專用的Sm-Co合金非晶磁性納米線沉積裝置；

第二步，AAO模板的前處理和電解沉積液的配制：

首先將AAO模板浸泡在去離子水中，置于60℃水浴中1min，然后置于超聲波發(fā)生器中用超聲波震蕩，至充分趕走納米孔洞中的氣泡，以備使用，用100?mL去離子水將化學(xué)試劑SmCl₃·6H₂O、CoCl₂·6H₂O、H₃BO₃、甘氨酸和抗壞血酸進(jìn)行溶解配制得到電解沉積液，該電解沉積液的摩爾濃度配比為SmCl₃·6H₂O∶CoCl₂·6H₂O∶H₃BO₃∶甘氨酸∶抗壞血酸＝0.5～1.8∶2～5∶5～10∶4～8∶3～7；

第三步，沉積Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列：

在第一步的專用的Sm-Co合金非晶磁性納米線沉積裝置中，以第二步中處理好的AAO模板為陰極，石墨C電極為陽極，將第二步配制好的電解沉積液放入專用的Sm-Co合金非晶磁性納米線沉積裝置的電解沉積槽中，用磁力攪拌器攪拌均勻，同時采用直流2V電壓在配置好的電解沉積液中進(jìn)行納米線的沉積，隨著沉積時間的延長，AAO模板的顏色由淺變深，直到AAO模板表面有一層灰色的薄膜出現(xiàn)，表明Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列已沉積完畢，AAO模板的納米孔洞被填滿，獲得的納米線的長徑比為70～120:1；

第四步，對沉積的Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列進(jìn)行退火處理：

將第三步中得到的帶有AAO模板的Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列放入壓力＜10^-2Pa的真空燒結(jié)爐中，采用如下工藝參數(shù)進(jìn)行晶化處理：在一直進(jìn)行抽真空操作保持壓力＜10^-2Pa的條件下，以1℃/min～10℃/min速度從室溫加熱到設(shè)定的溫度500℃～760℃，到設(shè)定的溫度并再保持10min后，再充入Ar氣保護(hù)，再保溫3h，然后隨爐冷卻到室溫，最終制得Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列產(chǎn)品。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述AAO模板所采用的原材料為純度99.999%的鋁箔，其厚度為12微米，孔徑尺寸為60納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列的制備方法，其特征在于：所述石墨C電極為5cm×8cm×2?cm尺寸的石墨板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述Sm-Co合金非晶磁性納米線陣列的制備方法，其特征在于：所用化學(xué)試劑皆為分析純。