[發明專利]一種柵接地金屬氧化物半導體晶體管靜電防護結構

有效

• 申請號: 201410312125.8
• 申請日: 2014-07-02
• 公開（公告）號: CN104022112A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;張春偉;周雷雷;張藝;劉斯揚;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 江蘇永衡昭輝律師事務所 32250
• 代理人: 王斌

1.一種柵接地金屬氧化物半導體晶體管靜電防護結構，包括：P型半導體襯底（2），在P型半導體襯底（2）上設有P型接觸區（1）、N型源區（4）及N型漏區（6），所述N型源區（4）及N型漏區（6）位于P型接觸區（1）內且所述N型源區（4）和N型漏區（6）以叉指結構交替分布在P型半導體襯底（2）的表面，在N型源區（4）和N型漏區（6）之間區域的正上方設有多晶硅柵極（11），在所述N型源區（4）和多晶硅柵極（11）之間及N型漏區（6）和多晶硅柵極（11）之間都設置有輕摻雜漏區（5），其特征在于，在N型源區（4）與P型接觸區（1）之間設有N型區（3），在P型接觸區（1）與N型區（3）之間以及在N型區（3）與N型源區（4）外側之間分別設有場氧化層（8）且場氧化層（8）位于P型半導體襯底（2）的表面，在P型接觸區（1）、N型源區（4）、輕摻雜漏區（5）、N型漏區（6）場氧化層（8）及多晶硅柵極（11）上方設有氧化層（12），P型半導體襯底（2）由金屬襯底電極（7）引出，N型源區（4）由金屬源區電極（10）引出，N型漏區（6）和N型區（3）均由金屬漏電極（9）引出。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物半導體晶體管靜電防護結構，其特征在于，N型區（3）是通過有源區實現，并且N型區（3）與N型源區（4）的外側距離大于1微米。

3.根據權利要求2所述的金屬氧化物半導體晶體管靜電防護結構，其特征在于，N型區（3）與P型半導體襯底（2）形成的二極管具有相對于N型漏區（6）與P型半導體襯底（2）形成的二極管更低的擊穿電壓。