[發明專利]半導體封裝件的制法

有效

• 申請號: 201410311771.2
• 申請日: 2014-07-02
• 公開（公告）號: CN105280573B
• 公開（公告）日: 2018-03-13
• 發明（設計）人: 陳威宇;詹慕萱;林畯棠;林澤源
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司11314
• 代理人: 程偉,王錦陽

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝件的制法，尤指一種內埋有板體的半導體封裝件及其制法。

背景技術

隨著半導體技術的演進，已開發出半導體產品的不同封裝產品型態，而為了追求半導體封裝件的輕薄短小，因而發展出一種晶片尺寸封裝件(Chip Scale Package，CSP)，其特征在于此種晶片尺寸封裝件僅具有與晶片尺寸相等或略大的尺寸。

圖1A至圖1D所示者，為現有半導體封裝件的制法的剖視圖。

如圖1A所示，提供一第一承載板10，并于其上依序形成離型層11與第一粘著層12。

如圖1B所示，于該第一粘著層12上以覆晶方式設置多個具有相對的作用面13a與非作用面13b的半導體晶片13，令該半導體晶片13以其作用面13a接置于該第一粘著層12上。

如圖1C所示，于該第一粘著層12上形成封裝膠體14，以包覆該等半導體晶片13，并經過固化(curing)步驟以使該封裝膠體14固化，該封裝膠體14具有連接該第一粘著層12的第一表面14a及與其相對的第二表面14b。

如圖1D所示，于該封裝膠體14的第二表面14b上依序接置第二粘著層15與第二承載板16，并移除該第一承載板10、離型層11與第一粘著層12，以外露該第一表面14a與作用面13a。

最后，于該第一表面與作用面上形成電性連接該半導體晶片的線路重布層，再移除該第二承載板，并進行切單步驟，以得到多個半導體封裝件。(未圖示此步驟)

惟，于前述現有半導體封裝件的制程中，對封裝膠體進行固化步驟后，因封裝膠體的熱膨脹系數與第一承載板的熱膨脹系數差異過大，所以會產生翹曲(warpage)現象(如圖1D所示)，因此必須額外貼附第二承載板，以平衡應力并減小翹曲程度，之后方可于半導體晶片的作用面及封裝膠體的第一表面上形成線路重布層，然而這樣會增加整體制程成本及時間。

因此，如何避免上述現有技術中的種種問題，實為目前業界所急需解決的課題。

發明內容

有鑒于上述現有技術的缺失，本發明的目的為提供一種半導體封裝件及其制法，能有效增進結構強度，以防止半導體封裝件翹曲。

本發明的半導體封裝件包括：板體；半導體晶片，其具有相對的作用面與非作用面，且以其非作用面接置于該板體上；以及封裝膠體，其包覆該板體與半導體晶片，且該封裝膠體具有相對的第一表面與第二表面，該第一表面外露該半導體晶片的作用面。

于前述的半導體封裝件中，還包括線路重布層，其形成于該第一表面上，且電性連接該半導體晶片，并包括多個導電元件，其形成于該線路重布層上。

于本發明中，該板體為氧化鋁板，該板體還具有貫穿的圖案化通口，且該封裝膠體還填入該圖案化通口中，又該圖案化通口用于使該板體呈網狀，該封裝膠體的側表面與該板體的側表面齊平。

本發明還提供一種半導體封裝件的制法，包括：于一承載板上設置具有相對的作用面與非作用面的半導體晶片，令該半導體晶片以其作用面接置于該承載板上；于該半導體晶片的非作用面上接置板體；于該承載板上形成封裝膠體，以包覆該板體與半導體晶片，該封裝膠體具有連接該承載板的第一表面及與其相對的第二表面；以及移除該承載板，以外露該半導體晶片的作用面與該封裝膠體的第一表面。

于前述的半導體封裝件的制法中，還包括于該外露的第一表面上形成電性連接該半導體晶片的線路重布層，于形成該線路重布層之后，還包括進行切單步驟，且于進行該切單步驟之后，該封裝膠體的側表面與該板體的側表面齊平，并包括于該線路重布層上形成多個導電元件，且該板體為氧化鋁板。

本發明的半導體封裝件的制法中，該板體還具有貫穿的圖案化通口，且該封裝膠體還填入該圖案化通口中，該圖案化通口用于使該板體呈網狀，又于設置該半導體晶片之前，該承載板上還依序形成有離型層與粘著層，令該半導體晶片以其作用面接置于該粘著層上，且移除該承載板還包括移除該離型層與粘著層。

由上可知，本發明通過于半導體晶片的非作用面上接置板體，以平衡應力、增加整體結構強度與提高半導體晶片的散熱效果，使得半導體封裝件于固化步驟后不會翹曲，且無須接置與移除第二個承載板，故可減少制程時間與成本，增加生產效率。

附圖說明

圖1A至圖1D所示者為現有半導體封裝件的制法的剖視圖。

圖2A至圖2F所示者為本發明的半導體封裝件的制法的剖視圖，其中，圖2C’為圖2C的板體的俯視圖。

符號說明

10 第一承載板

11、21離型層