[發(fā)明專利]浮柵的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410310911.4
• 申請日: 2014-07-01
• 公開（公告）號: CN105336591B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發(fā)明（設計）人: 姜立維;李雪
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種浮柵的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

步驟S1，提供半導體基底，所述半導體基底具有存儲單元區(qū)和外圍電路區(qū)，所述存儲單元區(qū)具有第一STI和第一有源區(qū)，所述外圍電路區(qū)具有最小寬度≥A的第二STI和第二有源區(qū)以及最小寬度＜A的第三STI和第三有源區(qū)；

步驟S2，在所述半導體基底上沉積多晶硅，形成第一多晶硅層；

步驟S3，在位于所述第二有源區(qū)的所述第一多晶硅層上形成多晶硅保護層；

步驟S4，在裸露的所述第一多晶硅層表面上、所述多晶硅保護層表面上沉積多晶硅，形成第二多晶硅層；

步驟S5，對所述第二多晶硅層與所述第一多晶硅層進行CMP至所述第一STI與所述第三STI裸露；

步驟S6，對CMP后的所述第一多晶硅層與所述多晶硅保護層進行回刻；以及

步驟S7，去除所述多晶硅保護層，

所述步驟S3包括：

步驟S31，在所述第一多晶硅層上沉積多晶硅預保護層；

步驟S32，在位于所述第二有源區(qū)的多晶硅預保護層上形成光刻膠掩膜；

步驟S33，刻蝕去除裸露的所述多晶硅預保護層；以及

步驟S34，去除所述光刻膠掩膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述多晶硅保護層的邊緣距離所述第二有源區(qū)的邊緣1～10nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述CMP過程采用的拋光液對所述多晶硅保護層的材料與所述多晶硅的選擇比大于1∶10。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述CMP過程的拋光速度為

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述多晶硅保護層為氮化硅層，所述拋光液為用于STI CMP的拋光液。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S6的回刻過程采用干法刻蝕實施。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S7的去除多晶硅保護層的過程采用濕法刻蝕實施。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一多晶硅層的厚度為a，相鄰所述第一STI之間的最小間距為b，且a＞b/2。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述半導體基底表面以上的第一STI高度為c，所述多晶硅保護層的厚度為e，且a+e的總和為c的0.8～1.2倍。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述第二多晶硅層的厚度為f，且a+f＞c。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述A為0.3μm。