[發明專利]光檢測器及其制造方法有效
| 申請號: | 201410310714.2 | 申請日: | 2014-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN104037185B | 公開(公告)日: | 2017-08-15 |
| 發明(設計)人: | 陳德銘;王騰岳;林宗毅 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01T1/20 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人: | 張浴月,李玉鎖 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測器 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種光檢測器及其制造方法,尤其涉及一種具有良好圖像解析度及敏感度的光檢測器及其制造方法。
背景技術
X射線圖像是醫療診斷的重要工具之一。目前,X射線圖像成像技術需要利用可吸收光能并將其轉換成電子信號的X光檢測器,其中X光檢測器通常包括可將X光轉換為可見光的閃爍體。一般而言,閃爍體的厚度越厚有利于增加敏感度,但隨著閃爍體厚度的增加,所轉換出的可見光容易產生散射而造成嚴重的光學串擾現象(optical crosstalk),使得圖像的解析度下降。這是由于公知的X光檢測器通常是通過一層閃爍體膜層與感測陣列進行對位貼合所組立而成的。此外,所述對位貼合的方式容易產生偏差而導致工藝良率降低。因此,如何有效地制造出同時具有良好圖像解析度及敏感度的光檢測器是目前研發的重點之一。
發明內容
本發明提供一種光檢測器的制造方法,可制造同時具有良好圖像解析度及敏感度的光檢測器。
本發明提出一種光檢測器的制造方法,包括以下步驟。提供基板。于基板上形成感應元件陣列,其中感應元件陣列包括多個感應單元。于感應元件陣列上形成多個閃爍體單元,其中閃爍體單元彼此之間互相分離,且每一閃爍體單元對應一個感應單元。形成覆蓋閃爍體單元的反射層。形成覆蓋反射層的覆蓋層。
本發明另提出一種光檢測器,包括基板、多個閃爍體單元、反射層以及覆蓋層。基板具有感應元件陣列,其中感應元件陣列包括多個感應單元。多個閃爍體單元配置于感應元件陣列上,其中閃爍體單元彼此之間互相分離,且每一閃爍體單元對應一個感應單元。反射層配置于閃爍體單元上且覆蓋閃爍體單元。覆蓋層覆蓋反射層。
基于上述,在本發明的光檢測器及其制造方法中,通過進行曝光顯影工藝及干燥工藝,或是通過進行凹板印刷工藝及干燥工藝,能夠直接在感應元件陣列上形成彼此分離且分別對應于一個感應單元的閃爍體單元,借此不但可制作出大面積的光檢測器,也可提高光檢測器的工藝良率及圖像解析度。
為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1A至圖1F為本發明的第一實施方式的光檢測器的制造方法的流程示意剖面圖。
圖2A至圖2F為本發明的第二實施方式的光檢測器的制造方法的流程示意剖面圖。
其中,附圖標記說明如下:
10、20:光檢測器
100、200:基板
101、201:感應單元
102、202:感應元件陣列
103、203:平坦層
104:閃爍體材料層
106:圖案化閃爍體材料層
108、208:閃爍體單元
110、210:反射層
112、212:覆蓋層
220:印刷板
221:鋼板
222:凹槽結構
223:網板
224:閃爍體材料
226:刮刀
228:閃爍體材料圖案
P1、P2、P3、P1’、P2’、P3’、P4’:間距
具體實施方式
圖1A至圖1F為本發明的第一實施方式的光檢測器的制造方法的流程示意剖面圖。
請參照圖1A,首先,提供基板100。在本實施方式中,基板100為可撓性基板,諸如塑膠基板。接著,在基板100上形成感應元件陣列102,此感應元件陣列102包括多個感應單元101。詳細而言,感應單元101用以接收特定波長范圍的光。在本實施方式中,感應單元101例如是非晶硅的光二極管(photodiode),其吸收頻譜例如是介于450nm至620nm的波長范圍。另外,在本實施方式中,感應單元101的間距P1介于130微米至200微米之間。另外,在本實施方式中,形成感應元件陣列102之后還包括于基板100上形成平坦層103,其中平坦層103暴露出感應元件陣列102。在一實施例中,平坦層103的表面可與感應元件陣列102的表面齊平,以使后續所形成的膜層能夠形成在一平坦的表面上。平坦層103的材料例如是聚酰亞胺(Polyimide)、丙烯酸酯樹脂(Acrylic resin)等材料。
接著,請參照圖1B,于基板100上形成閃爍體材料層104。于基板100上形成閃爍體材料層104的方法包括以下步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





