[發(fā)明專利]光檢測(cè)器及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410310714.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-06-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104037185B | 公開(公告)日: | 2017-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳德銘;王騰岳;林宗毅 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 友達(dá)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;G01T1/20 |
| 代理公司: | 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003 | 代理人: | 張?jiān)≡?李玉鎖 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測(cè)器 及其 制造 方法 | ||
1.一種光檢測(cè)器的制造方法,包括:
提供一基板;
于該基板上形成一感應(yīng)元件陣列,該感應(yīng)元件陣列包括多個(gè)感應(yīng)單元;
于該感應(yīng)元件陣列上形成多個(gè)閃爍體單元,其中所述多個(gè)閃爍體單元彼此之間互相分離,且每一閃爍體單元對(duì)應(yīng)一個(gè)感應(yīng)單元;
形成覆蓋所述多個(gè)閃爍體單元的一反射層,其中所述反射層覆蓋各個(gè)所述閃爍體單元的上表面與側(cè)表面;以及
形成覆蓋該反射層的一覆蓋層。
2.如權(quán)利要求1所述的光檢測(cè)器的制造方法,其中形成所述多個(gè)閃爍體單元的方法包括:
配制一閃爍體材料;
使用該閃爍體材料進(jìn)行一涂布工藝,以于該基板上形成一閃爍體材料層;以及
對(duì)該閃爍體材料層依序進(jìn)行一曝光顯影工藝及一干燥工藝,以定義出所述多個(gè)閃爍體單元。
3.如權(quán)利要求2所述的光檢測(cè)器的制造方法,其中該閃爍體材料包括一熒光粉、一溶劑、一感光劑及一添加劑。
4.如權(quán)利要求1所述的光檢測(cè)器的制造方法,其中形成所述多個(gè)閃爍體單元的方法包括:
于該基板上設(shè)置一印刷板,其中該印刷板包括多個(gè)凹槽結(jié)構(gòu),所述多個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)分別對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)感應(yīng)單元;
配制一閃爍體材料;
使用該閃爍體材料進(jìn)行一涂布工藝,以使該閃爍體材料填入所述多個(gè)凹槽結(jié)構(gòu)中;
移除該印刷版,以于該基板上形成多個(gè)閃爍體材料圖案;以及
對(duì)所述多個(gè)閃爍體材料圖案進(jìn)行一干燥工藝,以形成所述多個(gè)閃爍體單元。
5.如權(quán)利要求4所述的光檢測(cè)器的制造方法,其中該閃爍體材料包括一熒光粉、一溶劑及一添加劑。
6.如權(quán)利要求3或5所述的光檢測(cè)器的制造方法,其中該熒光粉包括Gd2O2S:Tb、ZnS:Cu、ZnS:Ag、CaWO4、GdOS:Tb或BaFCl:Eu。
7.一種光檢測(cè)器,包括:
一基板,其具有一感應(yīng)元件陣列,該感應(yīng)元件陣列包括多個(gè)感應(yīng)單元;
多個(gè)閃爍體單元,配置于該感應(yīng)元件陣列上,其中所述多個(gè)閃爍體單元彼此之間互相分離,且每一閃爍體單元對(duì)應(yīng)一個(gè)感應(yīng)單元,所述多個(gè)閃爍體單元的頂表面為一非平坦表面;
一反射層,配置于所述多個(gè)閃爍體單元上且覆蓋所述多個(gè)閃爍體單元,其中所述反射層覆蓋各個(gè)所述閃爍體單元的上表面與側(cè)表面;以及
一覆蓋層,覆蓋該反射層。
8.如權(quán)利要求7所述的光檢測(cè)器,其中該基板為可撓性基板,該覆蓋層為可撓性覆蓋層。
9.如權(quán)利要求7所述的光檢測(cè)器,其中所述多個(gè)閃爍體單元包括Gd2O2S:Tb、ZnS:Cu、ZnS:Ag、CaWO4、GdOS:Tb或BaFCl:Eu。
10.如權(quán)利要求7所述的光檢測(cè)器,其中所述多個(gè)閃爍體單元的厚度介于50微米至200微米之間,所述多個(gè)感應(yīng)單元的間距介于130微米至200微米之間。
11.如權(quán)利要求7所述的光檢測(cè)器,其中該每一閃爍體單元與其所對(duì)應(yīng)的該感應(yīng)單元直接接觸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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