[發(fā)明專利]晶圓的處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410308855.0
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN105206506B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 鄭超;王偉;馬軍德
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰(zhàn);駱蘇華

一種晶圓的處理方法，包括：提供覆蓋基底和待處理基底，待處理基底的第一表面具有若干器件區(qū)、以及位于器件區(qū)之間的切割道區(qū)；將覆蓋基底的第一表面與待處理基底的第一表面鍵合，待處理基底和覆蓋基底的邊緣重合，待處理基底的切割道區(qū)與覆蓋基底的第一表面形成空腔；對待處理基底進行修邊工藝，使待處理基底的半徑小于覆蓋基底的半徑；對覆蓋基底的第二表面進行減薄；之后，對覆蓋基底的第二表面進行清洗；之后，刻蝕部分覆蓋基底，直至暴露出待處理基底第一表面的切割道區(qū)。待處理晶圓受到的損傷較少，對待處理晶圓進行檢測的結果更準確。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種晶圓的處理方法。

背景技術

在半導體制程中，需要將表面已形成有半導體器件的晶圓(Wafer)切割為多個芯片，之后再對各個芯片進行封裝，以形成所需的集成電路或芯片器件。以晶圓級芯片尺寸封裝(Wafer Level Chip Size Packaging，WLCSP)技術為例，對晶圓進行封裝測試后再切割得到單個成品芯片，封裝后的芯片尺寸與裸片完全一致。經(jīng)晶圓級芯片尺寸封裝技術封裝后的芯片尺寸能夠達到高度微型化，芯片成本隨著芯片尺寸的減小和晶圓尺寸的增加而顯著降低。

隨著半導體制造技術的不斷發(fā)展，半導體器件的制造方法以及半導體器件的結構也日益復雜，因此，僅在晶圓的一側表面進行半導體工藝制程已不能滿足持續(xù)發(fā)展的技術需求。例如，MEMS壓力傳感器的制造工藝、背照式(BSI，Backside Illuminated)圖像傳感器的制造工藝、硅通孔(TSV，Through Silicon Via)結構的制造工藝、或者晶圓的封裝工藝均需要在晶圓的一側表面形成半導體器件結構之后，在晶圓的另一側表面進行后段工藝制程，并且在完成后段制程之后，再對晶圓進行單片切割。

為了避免在對晶圓的另一側表面進行后段工藝制程時，造成晶圓一側表面已形成的器件結構造成損傷，現(xiàn)有技術會在已形成器件結構的晶圓表面鍵合承載基底，所述承載基底能夠在后段工藝制程、以及后續(xù)對所述晶圓進行修邊、減薄和單片切割的過程中，保護所述晶圓表面的器件結構。

由于所述鍵合工藝包括壓合以及熱處理制程，因此所述鍵合工藝會對晶圓表面的器件結構性能造成影響。為了測試所述鍵合工藝對器件結構性能的影響，現(xiàn)有技術會在測試晶圓表面形成器件結構、并在器件結構上鍵合承載基底之后，刻蝕所述承載基底至暴露出晶圓表面的測試鍵，通過所述測試鍵能夠?qū)ζ骷Y構進行電性檢測，以此判斷鍵合工藝對晶圓表面的器件結構的性能影響。

然而，在現(xiàn)有技術中，于鍵合工藝之后再對測試晶圓進行檢測，其測試結果不準確，容易對工藝制程的改進造成妨礙。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種晶圓處理方法，使得待處理晶圓受到的損傷較少，對待處理晶圓進行檢測的結果更準確。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種晶圓處理方法，包括：提供覆蓋基底，所述覆蓋基底具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面；提供待處理基底，所述待處理基底具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面，所述待處理基底的第一表面具有若干器件區(qū)、以及位于器件區(qū)之間的切割道區(qū)；將所述覆蓋基底的第一表面與所述待處理基底的第一表面鍵合，所述待處理基底和覆蓋基底的邊緣重合，所述待處理基底的切割道區(qū)與所述覆蓋基底的第一表面形成空腔；對所述待處理基底進行修邊工藝，使所述待處理基底的半徑小于覆蓋基底的半徑；對所述覆蓋基底的第二表面進行減薄；在對所述覆蓋基底的第二表面進行減薄之后，對所述覆蓋基底的第二表面進行清洗；在對所述覆蓋基底的第二表面進行清洗之后，刻蝕部分所述覆蓋基底，直至暴露出待處理基底第一表面的切割道區(qū)。

可選的，所述待處理基底第一表面的器件區(qū)具有器件層，相鄰器件層之間具有切割溝槽，所述切割溝槽位于切割道區(qū)內(nèi)，所述器件層與所述覆蓋基底的第一表面相鍵合，且所述切割溝槽與覆蓋基底的第一表面形成空腔。