[發明專利]晶圓的處理方法

有效

• 申請號: 201410308855.0
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN105206506B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發明（設計）人: 鄭超;王偉;馬軍德
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 應戰;駱蘇華

1.一種晶圓的處理方法，其特征在于，包括：

提供覆蓋基底，所述覆蓋基底具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面；

提供待處理基底，所述待處理基底具有第一表面以及與第一表面相對的第二表面，所述待處理基底的第一表面具有若干器件區、以及位于器件區之間的切割道區；

將所述覆蓋基底的第一表面與所述待處理基底的第一表面鍵合，所述待處理基底和覆蓋基底的邊緣重合，所述待處理基底的切割道區與所述覆蓋基底的第一表面形成空腔；

在所述鍵合之后，對所述待處理基底進行修邊工藝，使所述待處理基底的半徑小于覆蓋基底的半徑；

在修邊工藝之后，對所述覆蓋基底的第二表面進行減薄；

在對所述覆蓋基底的第二表面進行減薄之后，對所述覆蓋基底的第二表面進行清洗；

在對所述覆蓋基底的第二表面進行清洗之后，刻蝕部分所述覆蓋基底，直至暴露出待處理基底第一表面的切割道區。

2.如權利要求1所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述待處理基底第一表面的器件區具有器件層，相鄰器件層之間具有切割溝槽，所述切割溝槽位于切割道區內，所述器件層與所述覆蓋基底的第一表面相鍵合，且所述切割溝槽與覆蓋基底的第一表面形成空腔。

3.如權利要求2所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述器件層包括：位于待處理基底第一表面器件區的器件結構；位于待處理基底第一表面的介質層，所述介質層覆蓋所述器件結構；位于所述介質層內的電互連結構，所述電互連結構與所述器件結構、待處理基底電連接，且所述介質層暴露出所述電互連結構的頂部表面。

4.如權利要求3所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述鍵合工藝包括：

將所述待處理基底的第一表面壓合于所述覆蓋基底的第一表面；在壓合所述待處理基底和覆蓋基底之后，進行熱處理工藝，使所述電互連結構的頂部表面熔接于所述覆蓋基底的第一表面。

5.如權利要求4所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述覆蓋基底的第一表面具有若干導電層，所述導電層的位置與所述電互連結構的頂部表面相互對應，所述導電層與所述電互連結構的頂部表面相互熔接。

6.如權利要求4所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述覆蓋基底的第一表面具有絕緣層，所述絕緣層與待處理基底第一表面的介質層相互熔接。

7.如權利要求1所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述清洗工藝為濕法清洗工藝，清洗液包括去離子水。

8.如權利要求7所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述清洗液以朝向所述覆蓋基底第二表面的方向進行噴淋，所述清洗液的噴淋方向垂直于所述覆蓋基底的第二表面、或者相對于覆蓋基底第二表面具有傾斜角度。

9.如權利要求1所述的晶圓的處理方法，其特征在于，還包括：在所述清洗工藝之后，刻蝕所述覆蓋基底之前，對所述待處理基底和覆蓋基底進行甩干工藝。

10.如權利要求1所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述修邊工藝使所述待處理基底的半徑減小3毫米～5毫米。

11.如權利要求1所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述修邊工藝采用刀具自待處理基底的邊緣向中心進給，使所述待處理基底的半徑減小。

12.如權利要求11所述的晶圓的處理方法，其特征在于，所述刀具的轉速為2000轉/分鐘～3000轉/分鐘，所述刀具的進給速度為5微米/秒～10微米/秒，所述進給的深度為400微米～750微米。

13.如權利要求1所述的晶圓的處理方法，其特征在于，在對所述覆蓋基底的第二表面進行減薄之后，所述覆蓋基底的厚度為3微米～400微米。