[發明專利]一種提高閃存單元有效溝道寬度的方法

有效

• 申請號: 201410308660.6
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN105448803B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 于法波;舒清明
• 申請（專利權）人: 上海格易電子有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/311
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬;鄧猛烈

1.一種提高閃存單元有效溝道寬度的方法，其特征在于，包括：

在半導體襯底上刻蝕隔離區和有源區，其中，所述半導體襯底由硅襯底、犧牲氧化硅層和掩膜氮化硅層依次疊層而成；

對所述掩膜氮化硅層進行回刻至所述犧牲氧化硅層，并以剩余掩膜氮化硅層為掩膜刻蝕所述犧牲氧化硅層至所述硅襯底；

形成第一襯墊氧化硅層，其中，所述第一襯墊氧化硅層的厚度處于5nm～15nm之間；

去除所述第一襯墊氧化硅層，以形成圓滑轉角的半導體結構；

在高溫條件下，通過化學氣相沉淀法淀積第二襯墊氧化硅層并致密化處理。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在半導體襯底上刻蝕隔離區和有源區采用的工藝方法為淺溝道隔離工藝。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述掩膜氮化硅層進行回刻至所述犧牲氧化硅層，并以剩余掩膜氮化硅層為掩膜刻蝕所述犧牲氧化硅層至所述硅襯底，包括：

采用濕法刻蝕工藝，對所述掩膜氮化硅層進行回刻至所述犧牲氧化硅層；以及

以剩余掩膜氮化硅層為掩膜，刻蝕所述犧牲氧化硅層至所述硅襯底。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成第一襯墊氧化硅層采用的工藝方法為現場蒸汽生成工藝。

5.根據權利要求1或4所述的方法，其特征在于，形成第一襯墊氧化硅層所消耗的硅襯底的厚度在總厚度的40％～60％之間。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述第一襯墊氧化硅層采用的溶液為氫氟酸溶液。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二襯墊氧化硅層的厚度在5nm～15nm之間。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二襯墊氧化硅層的厚度大于所述犧牲氧化硅層的厚度。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述第二襯墊氧化硅層進行致密化處理的致密化條件為：溫度在700℃～900℃之間，處理時間為10min～60min之間，氣體氛圍為N₂或者N₂與Ar混合氣體。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述閃存單元為NOR快閃存儲器的閃存單元或者NAND快閃存儲器的閃存單元。