[發明專利]半導體功率器件的導線強化焊接結構

有效

• 申請號: 201410308021.X
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104103619B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 石海忠;顧夏茂;郇林香;毛倩;施清云
• 申請（專利權）人: 通富微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙)11435
• 代理人: 孟阿妮

1.一種半導體功率器件的導線強化焊接結構，包括框架內引線，所述框架內引線的表面具有焊接區，所述焊接區焊接有導線，其特征在于，所述焊接區兩側的框架內引線上設有向上的翻邊，所述框架內引線、翻邊及導線與焊接區連接的一端的外圍設有塑封層；

所述翻邊與框架內引線表面的夾角為5～85°。

2.根據權利要求1所述的半導體功率器件的導線強化焊接結構，其特征在于，所述翻邊在豎直方向的高度為所述框架內引線的厚度的2.5-3.5倍。

3.根據權利要求2所述的半導體功率器件的導線強化焊接結構，其特征在于，所述翻邊在豎直方向的高度為所述框架內引線的厚度的3.0倍。

4.根據權利要求1所述的半導體功率器件的導線強化焊接結構，其特征在于，所述框架內引線與所述翻邊為一體結構。

5.根據權利要求1-4任一項所述的半導體功率器件的導線強化焊接結構，其特征在于，所述框架內引線包括間隔距離依次設置的第一框架內引線、第二框架內引線及第三框架內引線，所述導線包括第一導線和兩個第二導線，所述第一框架內引線的焊接區焊接有第一導線，所述第三框架內引線的焊接區分別焊接有兩個第二導線，所述第三框架內引線的兩側設有向上的翻邊。

6.根據權利要求5所述的半導體功率器件的導線強化焊接結構，其特征在于，所述第一導線和兩個第二導線均為鋁線。

7.根據權利要求5所述的半導體功率器件的導線強化焊接結構，其特征在于，所述第一導線為鋁線，兩個所述第二導線為鋁帶。

8.根據權利要求5所述的半導體功率器件的導線強化焊接結構，其特征在于，還包括框架載片臺，所述框架載片臺上固定連接有芯片，所述導線遠離所述框架內引線的一端與所述芯片焊接。