[發明專利]一種降低錫須生長的純錫電鍍液及其應用

有效

• 申請號: 201410307826.2
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104060307B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 王梅鳳
• 申請（專利權）人: 句容市博遠電子有限公司
• 主分類號: C25D3/32
• 分類號: C25D3/32
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 王云

技術領域

本發明涉及金屬鍍層電沉積制備領域，尤其涉及一種降低錫須生長的純錫電鍍液及其應用。

背景技術

在電子工業生產中，元器件引腳表面上通常電鍍一層錫-鉛(Sn-Pb)合金以提高其焊接的潤濕性，但是鉛元素是一種生物毒性很大的金屬元素，對人體和環境都有著巨大的危害，自從歐洲委員會通過的電子器件棄物條令案規定在2004年后的廢棄物中嚴禁有鉛Pb、鎘Cd、汞Hg和六價鉻Cr(VI)等有害物質后，開發無鉛焊接技術和相應的純錫電鍍技術已經成為替代鍍Sn-Pb合金的主要手段。現有的無鉛電鍍合金，普遍存在著焊接溫度較高，結晶較粗，容易長Sn須等問題。

發明內容

發明目的：為了解決現有技術所存在的無鉛純錫電鍍合金存在的焊接溫度較高、結晶粗以及易長Sn須問題，本發明提供了一種鍍層的柔韌性和延展性好、對Sn須的生長具有抑制作用的降低錫須生長的純錫電鍍液及其應用。

技術方案：為達到上述目的，本發明采用如下技術方案：

一種降低錫須生長的純錫電鍍液，由如下配方組成：20％-50％的體積比為3:1的甲基磺酸與硫酸的混合溶液、10％-40％的體積比為5:1-7:1的烷基磺酸錫鹽與過氧化氫的混合溶液、1％-10％的抗氧化劑、1％-5％的輔助劑、1％-5％的光亮劑、1％-5％的濕潤劑、1％-5％的表面活性劑，余量的水，其中上述百分比為質量百分比。

更進一步的，所述烷醇基磺酸錫鹽為甲烷磺酸錫、乙烷磺酸錫、丙烷磺酸錫、2-丙烷磺酸錫中的一種或多種。

更進一步的，所述抗氧化劑為還原酸類化合物與絡合金屬離子質量比為2:1-4:1的混合物，其中還原酸類化合物為抗敗血酸，檸檬酸，抗壞血酸和乳酸中的一種。

更進一步的，所述輔助劑5-氯尿嘧啶、4-乙酰胞嘧啶、2-氨基腺嘌呤或次黃嘌呤中的一種或多種。

更進一步的，所述光亮劑為15g/L的蘋果酸、8mL/L的乳酸、8g/L的聚乙二醇、硼酸、芐二丙酮的混合物，其質量比為1:1:2:2:1。

更進一步的，所述濕潤劑為陰離子型濕潤劑。

更進一步的，所述表面活性劑為陰離子型表面活性劑。

一種上述降低錫須生長的純錫電鍍液的應用，具體如下：往電鍍槽內加入所需量一半的水，加入烷基磺酸錫鹽與過氧化氫的混合溶液、甲基磺酸和硫酸的混合溶液、混合均勻靜置20-40min后，按所需量先加入抗氧化劑、輔助劑以及表面活性劑，混合均勻后再加入濕潤劑和光亮劑以及余量的水，混合均勻。

更進一步的，所述電鍍液的使用溫度為30-55℃。

更進一步的，所述電鍍液使用過程中每半個小時向電鍍槽中加入吸附劑進行吸附10-15min。

有益效果：本發明所提供的一種降低錫須生長的純錫電鍍液及其應用，酸性鍍液采用甲基磺酸與硫酸的混合溶液、錫鹽采用烷基磺酸錫鹽與過氧化氫的混合溶液、且添加了抗氧化劑、輔助劑、光亮劑、濕潤劑、表面活性劑等成分，且在應用的過程中采用了獨特的電鍍液配制方法和使用注意事項，與傳統電鍍液的應用相比，對錫須的生長抑制效果明顯，大大降低了錫須的生長速率，減少電鍍件表面錫須的生長，且使用本發明進行電鍍后鍍層具有柔韌性和延展性好，對鍍層裂紋的出現具有很好的緩解作用，對溫度承受能力較靈活，具有很強的實用價值。

具體實施方式

下面結合實施方式對本發明作進一步詳細說明：

實施例1：

一種降低錫須生長的純錫電鍍液，具體配方如下，其中百分比為質量百分比：

20％的體積比為3:1的甲基磺酸與硫酸的混合溶液；

40％的體積比為5:1的甲烷磺酸錫與過氧化氫的混合溶液；

10％的抗敗血酸與絡合金屬離子質量比為2:1的混合物；

1％的5-氯尿嘧啶；

5％的光亮劑，質量比為1:1:2:2:1的15g/L的蘋果酸、8mL/L的乳酸、8g/L的聚乙二醇、硼酸、芐二丙酮的混合物，其中聚乙二醇、硼酸、芐二丙酮的質量比為1:2:1；

5％的陰離子型濕潤劑；

5％的烷基芳基磺酸鈉；

水余量。