[發明專利]一種降低錫須生長的純錫電鍍液及其應用

有效

• 申請號: 201410307826.2
• 申請日: 2014-06-30
• 公開（公告）號: CN104060307B
• 公開（公告）日: 2016-11-30
• 發明（設計）人: 王梅鳳
• 申請（專利權）人: 句容市博遠電子有限公司
• 主分類號: C25D3/32
• 分類號: C25D3/32
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 王云

1.一種降低錫須生長的純錫電鍍液，其特征在于由如下配方組成：20％-50％的體積比為3:1的甲基磺酸與硫酸的混合溶液、10％-40％的體積比為5:1-7:1的烷基磺酸錫鹽與過氧化氫的混合溶液、1％-10％的抗氧化劑、1％-5％的輔助劑、1％-5％的光亮劑、1％-5％的濕潤劑、1％-5％的表面活性劑，余量的水，其中上述百分比為質量百分比。

2.根據權利要求1所述的降低錫須生長的純錫電鍍液，其特征在于：所述烷醇基磺酸錫鹽為甲烷磺酸錫、乙烷磺酸錫、丙烷磺酸錫、2-丙烷磺酸錫中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的降低錫須生長的純錫電鍍液，其特征在于：所述抗氧化劑為還原酸類化合物與絡合金屬離子質量比為2:1-4:1的混合物，其中還原酸類化合物為抗敗血酸，檸檬酸，抗壞血酸和乳酸中的一種。

4.根據權利要求1所述的降低錫須生長的純錫電鍍液，其特征在于：所述輔助劑5-氯尿嘧啶、4-乙酰胞嘧啶、2-氨基腺嘌呤或次黃嘌呤中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的降低錫須生長的純錫電鍍液，其特征在于：所述光亮劑為15g/L的蘋果酸、8mL/L的乳酸、8g/L的聚乙二醇、硼酸、芐二丙酮的混合物，其質量比為1:1:2:2:1。

6.根據權利要求1所述的降低錫須生長的純錫電鍍液，其特征在于：所述濕潤劑為陰離子型濕潤劑。

7.根據權利要求1所述的降低錫須生長的純錫電鍍液，其特征在于：所述表面活性劑為陰離子型表面活性劑。

8.一種權利要求1所述的降低錫須生長的純錫電鍍液的應用，其特征在于：往電鍍槽內加入所需量一半的水，加入烷基磺酸錫鹽與過氧化氫的混合溶液、甲基磺酸和硫酸的混合溶液、混合均勻靜置20-40min后，按所需量先加入抗氧化劑、輔助劑以及表面活性劑，混合均勻后再加入濕潤劑和光亮劑以及余量的水，混合均勻。

9.根據權利要求8所述的降低錫須生長的純錫電鍍液的應用，其特征在于：所述電鍍液的使用溫度為30-55℃。

10.根據權利要求8所述的降低錫須生長的純錫電鍍液的應用，其特征在于：所述電鍍液使用過程中每半個小時向電鍍槽中加入吸附劑進行吸附10-15min。