[發(fā)明專利]發(fā)光器件有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410305809.5 | 申請(qǐng)日： | 2010-12-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104112801A | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 丁煥熙;李尚烈;宋俊午;崔光基 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/10 | 分類號(hào)： | H01L33/10;H01L33/38;H01L33/44 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 陸弋;王偉 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光 器件 | ||
1.一種發(fā)光器件，包括：
金屬層；
發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
電極，所述電極布置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一上部分上；
電流擴(kuò)展部，所述電流擴(kuò)展部布置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第二上部分上；
粘附層，所述粘附層布置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層下方；
絕緣層，所述絕緣層布置在所述電極和所述粘附層之間；
鈍化層，所述鈍化層布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的傾斜表面上并布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)上表面上；
反射層，所述反射層布置在所述金屬層和所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層之間，
其中，所述電極具有包括Au的第一層，
其中，所述電極接觸所述電流擴(kuò)展部，并且所述電極的上表面具有第一粗糙部，
其中，所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面具有第二粗糙部，并且
其中，所述電流擴(kuò)展部具有傾斜表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述電極還具有：包括Cr的第二層；和包括Pt的第三層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，所述第一層布置在所述第二層上，所述第三層布置在所述第一層和所述第二層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述電極具有1μm至10μm的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層的一部分沿豎直方向與所述電極及所述反射層重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層包括以下項(xiàng)中的至少一個(gè)：銦錫氧化物、銦鋅氧化物、銦鋅錫氧化物、銦鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦鎵錫氧化物、鋁鋅氧化物、銻錫氧化物、鎵鋅氧化物,ZnO、SiOx、SiOxNy、SixNy,Al2O3或TiOx。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述電極具有傾斜的側(cè)向表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中，所述電極的所述傾斜的側(cè)向表面具有第三粗糙部。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述粘附層包括以下項(xiàng)中的至少一種：Ti，Au，Sn，Ni，Cr，Ga，In，Bi，Cu，Ag或Ta。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述鈍化層接觸所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述有源層、所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述電流擴(kuò)展部的上表面具有第四粗糙部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述電流擴(kuò)展部的所述傾斜表面具有第五粗糙部。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述絕緣層直接接觸所述發(fā)光結(jié)構(gòu)。
14.一種發(fā)光器件，包括：
金屬層；
粘附層，所述粘附層布置在所述金屬層上；
發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)在所述粘附層上，并包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
電極，所述電極在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上；
絕緣層，所述絕緣層布置在所述電極和所述粘附層之間；
電流擴(kuò)展部，所述電流擴(kuò)展部布置在所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上；
鈍化層，所述鈍化層布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的傾斜表面上并布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的上表面部分上；
其中，所述電極具有包括Au的第一層、包括Cr的第二層、以及包括Pt的第三層，
其中，所述電極接觸所述電流擴(kuò)展部，
其中，所述電極的上表面具有第一粗糙部；
其中，所述第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的上表面具有第二粗糙部，并且
其中，所述電流擴(kuò)展部具有傾斜表面。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，所述電極具有1μm至10μm的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中，所述電流擴(kuò)展部的上表面具有第二粗糙部。
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